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IRFR420ATRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRFR420ATRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR420ATRPBF

IRFR420ATRPBF概述

    IRFR420ATRPBF-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFR420ATRPBF-VB 是一种 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压环境下的电源转换和驱动应用而设计。它具有低门极电荷、改进的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性等特点,适用于广泛的工业和消费电子应用,如开关电源、电机驱动和电池管理系统。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDS | 650 | V |
    | 门源阈值电压 VGS(th) | 2.5 - 5.0 | V |
    | 零门电压漏极电流 IDSS | ≤ 25 | µA |
    | 导通电阻 RDS(on) | 2.1 | Ω (VGS = 10V) |
    | 门源电荷 QGS | 12 | nC |
    | 门漏电荷 QGD | 19 | nC |
    | 总门电荷 QG | 48 | nC |
    | 反向恢复时间 trr | ≤ 739 | ns |
    | 反向恢复电荷 Qrr | ≤ 3.2 | µC |
    | 最大耗散功率 PD | 60 | W |
    | 最高工作温度 TJ | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:低门极电荷降低了驱动需求,使驱动电路更简单且效率更高。
    - 增强的耐用性:改进的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性使得器件能够在恶劣条件下稳定运行。
    - 全面的特性测试:容抗和雪崩电压及电流均已完全测试并标定,确保产品质量。
    - 符合环保要求:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,满足环境保护要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其高耐压和低导通电阻,非常适合用于开关电源的设计。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,该 MOSFET 的快速响应时间和高可靠性可以显著提高系统的整体性能。
    - 电池管理系统:适用于电池管理系统的保护和控制,确保系统稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计时需要考虑散热问题,特别是在高电流下工作时,适当的散热措施能延长器件寿命。
    - 尽量减少引线长度,以降低寄生电感,从而减少噪声干扰。
    - 注意选择合适的门极驱动电阻,以确保最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 该 MOSFET 采用 TO-252 封装,具有良好的安装扭矩,确保了可靠的连接。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括产品文档、在线技术支持和客户培训等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过热 | 加强散热设计,如增加散热片或风扇。 |
    | 电流过大导致损坏 | 确保负载不超过额定电流,并适当降额使用。 |
    | 开关频率过高导致损耗增加 | 降低开关频率或选择更高频率的 MOSFET。 |
    | 反向恢复时间过长 | 选用具有更低反向恢复时间特性的 MOSFET。 |

    7. 总结和推荐


    IRFR420ATRPBF-VB MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具备出色的耐用性和高效性。其广泛的应用范围和优秀的技术指标使其成为众多工业和消费电子应用的理想选择。我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高效率的应用场景中。

IRFR420ATRPBF参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 60W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1Ω@VGS = 10 V ID = 3.1 Ab
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 4.5A
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR420ATRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR420ATRPBF数据手册

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IRFR420ATRPBF封装设计

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