处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP120N06NG

IPP120N06NG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-IPP120N06NG TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP120N06NG

IPP120N06NG概述

    IPP120N06NG-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IPP120N06NG-VB 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的 N-Channel 60-V 漏源(D-S)功率 MOSFET,适用于各种电力控制应用。其主要特点是采用先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,能够在高热环境下稳定工作,并且具有出色的电气特性和较低的导通电阻。

    技术参数


    - 最大额定电压:VDS = 60 V
    - 最大漏极电流:ID = 60 A (在 TJ = 125 °C),ID = 50 A (在 TJ = 175 °C)
    - 最大栅极电压:VGS = ± 20 V
    - 最大功率耗散:PD = 136 W (在 TJ = 25 °C)
    - 输出电容:Coss = 570 pF
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS = 1 μA (在 TJ = 125 °C),IDSS = 50 μA (在 TJ = 175 °C)

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:工作温度范围广,可达 175 °C。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 下,RDS(on) 可达 0.011 Ω。
    - 高速开关性能:优秀的动态特性,使得其适用于高频电路。
    - 材料符合标准:满足 RoHS 和无卤素标准。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:IPP120N06NG-VB 的高耐温性和低导通电阻使其非常适合用于电机控制应用,特别是在需要高频开关和高可靠性的地方。
    - 电源转换:可用于开关电源中的降压、升压转换器,以提高效率和降低功耗。
    - 驱动电路:适用于各种驱动电路,如驱动电机、电磁阀等。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPP120N06NG-VB 采用标准 TO-220AB 封装,可轻松集成到现有电路设计中。此外,VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:产品在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查工作环境温度,确保不超过 175 °C。若需在更高温度下工作,可能需要外加散热措施。
    - 问题 2:导通电阻偏大。
    - 解决方案:检查 VGS 是否达到阈值电压,确保 VGS = 10 V 以上,可以降低导通电阻。

    总结和推荐


    IPP120N06NG-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合需要高温稳定性、低导通电阻和高开关速度的应用场合。VBsemi 提供全面的支持和技术文档,使用户能够快速了解和使用该产品。对于需要高效能电力控制解决方案的设计工程师来说,这款 MOSFET 是一个值得考虑的选择。
    希望这份文章能满足您的需求,如有任何修改或进一步的信息要求,请随时告知。

IPP120N06NG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220,TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP120N06NG厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP120N06NG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP120N06NG IPP120N06NG数据手册

IPP120N06NG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7534
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0