处理中...

首页  >  产品百科  >  VBF2355

VBF2355

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),45mΩ@10V,60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBF2355
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBF2355

VBF2355概述

    VBF2355 P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    VBF2355 是一种 P 沟道 30V(漏极到源极)MOSFET,采用 TO-251 封装。这种器件特别适合用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。VBF2355 具备无卤素设计,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,所有产品均经过 100% Rg 和 UIS 测试,以确保卓越的质量和可靠性。

    技术参数


    以下是 VBF2355 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID | - | -20 | - | A |
    | 通态漏极电流 | ID(on) | - | -20 | - | A |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.056 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1150 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 205 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 140 | - | - |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 27 | 43 | nC |
    其他重要参数包括:
    - 额定功率耗散:最高为 20 W(在 TC = 25°C)
    - 热阻:最大结-壳热阻 RthJC 为 38 °C/W
    - 连续源-漏二极管电流:最大为 -20 A(TC = 25°C)
    - 最大结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    VBF2355 MOSFET 的关键优势包括:
    - 无卤素材料,符合环保标准
    - 100% Rg 和 UIS 测试保证产品质量
    - 高可靠性,适用于恶劣的工作环境
    - 低通态电阻(RDS(on)),实现高效率运行
    - 优化的栅极电荷,减少开关损耗

    应用案例和使用建议


    VBF2355 MOSFET 广泛应用于负载开关和笔记本适配器开关等场合。根据手册提供的应用场景,该器件非常适合需要高可靠性和高效率的电源转换电路。建议在使用时注意以下几点:
    - 确保 PCB 设计能有效散热
    - 注意栅极驱动信号的优化,以减少开关损耗
    - 在设计中充分考虑热管理,确保长期稳定运行

    兼容性和支持


    VBF2355 MOSFET 可以轻松与其他标准电子元件配合使用。制造商提供全面的技术支持,包括详细的资料、应用指南和客户支持服务。如有任何技术问题,可通过提供的服务热线联系制造商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见的用户问题及其解决方法如下:
    - 问题:温度过高导致失效
    解决方案: 选择适当的散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。
    - 问题:栅极电压不稳定
    解决方案: 使用稳定的电源供应并确保良好的接地,以避免干扰。
    - 问题:电流过大导致烧毁
    解决方案: 选择合适的电流限制和保护措施,例如使用保险丝或限流电阻。

    总结和推荐


    VBF2355 P-Channel MOSFET 以其出色的性能和可靠性,在各种电源管理和转换应用中表现出色。其低导通电阻、高效的开关性能和环保的设计使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给寻求高效、可靠的电源管理解决方案的工程师和技术人员。

VBF2355参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,60mΩ@4.5V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBF2355厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBF2355数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBF2355 VBF2355数据手册

VBF2355封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5959
库存: 40
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.97
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504