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VBZA4850

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7.6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.54Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: 14M-VBZA4850 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA4850

VBZA4850概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款由VBsemi公司生产的高性能电子元器件,主要用于“低侧”同步整流操作。这款场效应晶体管(MOSFET)采用TrenchFET®技术,具有多种独特的特性和优势。它适用于逆变器(如CCFL逆变器)等多种应用场景。此外,该器件是无卤素产品,符合IEC 61249-2-21标准定义。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    - 电压参数:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 门源电压 \(V{GS}\): ±20V

    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 \(ID\):
    - \(TA\) = 25°C 时: 7.6A
    - \(TA\) = 70°C 时: 4.8A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 25A
    - 持续源极-漏极二极管电流 \(IS\):
    - \(TA\) = 25°C 时: 4.2A
    - \(TA\) = 70°C 时: 2.1A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 15A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 11.2mJ
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - \(TC\) = 25°C 时: 5W
    - \(TA\) = 70°C 时: 1.6W
    - 最大结温 \(TJ\): -55°C 至 150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 38°C/W (最大)
    - 最大结到脚热阻 \(R{thJF}\): 20°C/W (最大)
    - 电气特性:
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.2V 至 2.5V
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\): 25A
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS}\) = 10V, \(ID\) = 4.6A 时: 0.025Ω
    - \(V{GS}\) = 4.5V, \(ID\) = 4.2A 时: 0.035Ω
    - 门极电荷 \(Qg\):
    - \(V{DS}\) = 30V, \(V{GS}\) = 10V, \(ID\) = 4.6A 时: 21nC (典型)
    - \(V{DS}\) = 30V, \(V{GS}\) = 4.5V, \(ID\) = 4.6A 时: 10.5nC (典型)

    产品特点和优势


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 的独特之处在于其TrenchFET®技术,这使得其具有低导通电阻(\(R{DS(on)}\))和高效的开关特性。此外,它经过100%的\(Rg\) 和 UIS 测试,确保了其可靠性。该产品特别适合于需要高效开关性能的应用,例如逆变器(如CCFL逆变器)。其设计优化了低侧同步整流操作,使其在这一领域的市场竞争力显著。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各类逆变器,特别是CCFL逆变器。根据技术手册,该MOSFET被设计用于承受高达60V的电压,并能处理高达25A的脉冲电流。对于这些高电流应用场景,需要确保良好的散热管理。建议用户在安装时采用有效的散热措施,如使用散热片或散热器,以保证产品在高负载下的稳定运行。此外,在选择合适的PCB布局时,也应考虑电路的整体散热效果,避免因局部过热而导致器件失效。

    兼容性和支持


    该产品与市场上常见的SO-8封装相兼容,可以方便地集成到现有的电路板设计中。制造商VBsemi提供了详尽的技术文档和支持,包括安装指南和应用示例。用户可通过官方网站获得最新的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下出现性能下降。
    - 解决方案:检查散热措施是否有效,增加散热片或风扇以改善散热条件。
    2. 问题:在高压环境中发现漏电流增加。
    - 解决方案:确认是否正确设置了栅极电压,并检查是否有外部干扰导致漏电流增加。
    3. 问题:启动时延迟时间较长。
    - 解决方案:调整栅极电阻(\(Rg\))以优化驱动信号的上升时间,减少延迟时间。

    总结和推荐


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款具有高性能和可靠性的电子元器件,适用于需要高效开关性能的逆变器应用。其独特的TrenchFET®技术、低导通电阻和广泛的适用温度范围,使其成为市场上的强有力竞争者。我们强烈推荐该产品给寻求高性能开关解决方案的工程师和技术爱好者。

VBZA4850参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.54V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7.6A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA4850厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA4850数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA4850 VBZA4850数据手册

VBZA4850封装设计

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