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NTD20P06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD20P06LT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G概述

    NTD20P06LT4G-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD20P06LT4G-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用TO-252封装,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。这款MOSFET 主要用于负载开关应用中,如电源管理、逆变器和直流电机控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是NTD20P06LT4G-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | - | -60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | -1.0 | -2.0 | -3.0 | V |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | -1.0 | -50 | mA |
    | 导通电阻 | rDS(on) | 0.061 | 0.072 | 0.150 | Ω |
    | 输出电容 | Coss | 120 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 100 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10 nC |
    | 门极电荷 | Qgs | 2.1 nC |
    | 开启延时时间 | td(on) | 6 ns |
    | 上升时间 | tr | 15 ns |
    | 关闭延时时间 | td(off) | 16 ns |
    | 下降时间 | tf | 8 ns |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率MOSFET:该产品采用了TrenchFET技术,具备更低的导通电阻和更高的功率密度。
    - 100% UIS测试:确保产品能够在极端条件下稳定运行。
    - 低导通电阻:在不同工作温度下均表现出色,保证了高效能。
    - 快充关断速度:具备较快的开启和关闭时间,适合高速开关的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:由于其低导通电阻和快速开关速度,NTD20P06LT4G-VB非常适合于负载开关的应用,例如电源管理模块、逆变器和直流电机控制等。
    - 使用建议:为了获得最佳性能,建议在电路设计中合理选择外围元件,如滤波电容和电阻,以减少寄生效应。同时,要注意散热设计,避免过热对产品性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTD20P06LT4G-VB具有良好的兼容性,可以与其他标准的电子元器件和设备一起使用。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术支持文档,包括详细的安装指南、故障排除手册和更新的产品信息。对于用户的具体问题,可以通过电话(400-655-8788)获得进一步的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机后MOSFET发热严重
    - 解决方案:检查散热片是否安装到位,确保电路板的良好通风。
    - 问题2:MOSFET出现异常关断
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认驱动信号的电压等级符合要求。
    - 问题3:MOSFET在低电压下无法正常工作
    - 解决方案:检查输入电压是否达到规定的工作范围,确认外围元件的选择是否合理。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTD20P06LT4G-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,具有出色的导通电阻、快速的开关时间和可靠的设计。在多种负载开关应用中表现出色,是值得推荐的产品。对于需要高效能和稳定性的应用场合,NTD20P06LT4G-VB无疑是理想的选择。

NTD20P06LT4G参数

参数
栅极电荷 20nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 10.72nF@50V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@ 25V
最大功率耗散 34W
通道数量 -
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD20P06LT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD20P06LT4G数据手册

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NTD20P06LT4G封装设计

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