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UT3N01ZL-AE2-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-UT3N01ZL-AE2-R SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N01ZL-AE2-R

UT3N01ZL-AE2-R概述

    # UT3N01ZL-AE2-R-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT3N01ZL-AE2-R-VB 是一款 N 沟道 60V(漏-源)功率 MOSFET,适用于各种应用场景。它采用了 TrenchFET® 技术,具有低阈值电压、低输入电容、快速开关速度和低输入输出泄漏的特点。该器件符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和无卤素标准(根据 IEC 61249-2-21 定义),非常适合用于直接逻辑接口(如 TTL/CMOS)、驱动器(例如继电器、电磁铁、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)和电池供电系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏-源击穿电压 | VDS | — | — | 60 | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 | — | V |
    | 输入电容 | Ciss | — | 25 | — | pF |
    | 输出电容 | Coss | — | 5 | — | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | — | 2 | — | pF |
    | 静态漏极电流 | ID(on) | 300 | 500 | — | mA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 2.8 | — | — | Ω (VGS = 10V, ID = 250mA) |
    | 前向跨导 | gfs | — | 100 | — | mS |
    | 单脉冲最大功耗 | PD | 0.30 | — | W (TA = 25°C) |

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:2V(典型值),适合于低电压操作。
    - 低输入电容:25pF,有助于提高电路速度。
    - 快速开关速度:25ns,能够支持高频率电路。
    - 低输入和输出泄漏:提高系统的稳定性和可靠性。
    - 兼容 RoHS 指令:确保环保要求。
    - 无卤素设计:符合国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直接逻辑接口:UT3N01ZL-AE2-R-VB 可以直接与 TTL/CMOS 接口连接,简化电路设计。
    - 驱动器:可用于驱动继电器、电磁铁、灯等负载,广泛应用于工业控制系统。
    - 电池供电系统:适合用于便携式设备和电池供电的应用场景。
    使用建议
    - 在电池供电设备中,应尽量降低功耗,可以通过调整栅极电压来控制功耗。
    - 在高频率电路中,注意选择合适的栅极电阻,以确保最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT3N01ZL-AE2-R-VB 采用 SOT-23 封装,可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    - 技术支持:如有任何疑问,可联系 400-655-8788 获取支持。厂商提供详细的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下功耗过高 | 减少负载电流或增加散热措施,以降低功耗。 |
    | 开关速度慢 | 检查栅极电阻,确保其在合理范围内。 |
    | 无法正常开启 | 检查栅极电压是否达到阈值电压,必要时调整电源电压。 |

    总结和推荐


    UT3N01ZL-AE2-R-VB N-Channel 60-V MOSFET 具有多种优势,如低阈值电压、低输入电容和快速开关速度。它在多种应用场合中表现出色,特别是在需要高速响应和低功耗的场景下。综合来看,这款产品非常值得推荐。如果您正在寻找一款高效可靠的 MOSFET,UT3N01ZL-AE2-R-VB 是一个不错的选择。

UT3N01ZL-AE2-R参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 300mW
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 250mA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1Ω(typ) VGS = 4.5 V,ID = 150 mA
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N01ZL-AE2-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N01ZL-AE2-R数据手册

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