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IPD50P04P4L-11

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50P04P4L-11 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50P04P4L-11

IPD50P04P4L-11概述

    IPD50P04P4L-11-VB P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPD50P04P4L-11-VB 是一款由VBsemi生产的P沟道40V(D-S)MOSFET,具有TrenchFET®技术。这款产品广泛应用于电源管理、电机控制和开关电路等领域,由于其卓越的电气特性和低热阻封装,使其成为高性能电路的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是IPD50P04P4L-11-VB的技术规格:
    - 漏源电压(VDS): -40 V
    - 导通电阻(RDS(on))
    - VGS = -10 V时: 0.012 Ω
    - VGS = -4.5 V时: 0.015 Ω
    - 连续漏电流(ID): -50 A
    - 脉冲漏电流(IDM): -200 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): -40 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 80 mJ
    - 最大功率耗散(PD)
    - TC = 25 °C时: 136 W
    - TC = 125 °C时: 45 W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): -40 V
    - 栅源电压(VGS): ± 20 V
    - 持续漏电流(ID): -50 A
    - 脉冲漏电流(IDM): -200 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): -40 A
    - 工作环境温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 +175 °C
    - 热阻率
    - 结到环境板载(RthJA): 50 °C/W
    - 结到外壳(RthJC): 1.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    IPD50P04P4L-11-VB的主要特点和优势包括:
    - TrenchFET®技术: 提高开关速度和降低栅极电荷,使产品更适用于高频应用。
    - 低热阻封装: 改善散热性能,延长产品寿命。
    - 全面测试: 包括100% Rg和UIS测试,确保产品质量。
    - 适用范围广: 可以在广泛的温度范围内工作,从-55 °C到+175 °C。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD50P04P4L-11-VB常用于电源管理和电机控制系统中。具体应用场景如下:
    - 电源管理: 在需要高功率转换的应用中,如开关电源。
    - 电机控制: 适合于电机驱动系统,可以实现高效的能量转换。
    - 汽车电子: 由于其耐高温特性,可用于汽车电子系统的电源转换。
    使用建议:
    - 确保散热片设计足够大,以保证在满载运行时良好的散热性能。
    - 在设计PCB时,注意保持足够的散热面积,避免热点产生。
    - 在高频率开关应用中,考虑选用低栅极电荷(Qg)的产品以减少功耗。

    5. 兼容性和支持


    IPD50P04P4L-11-VB的封装为TO-252,因此易于与其他标准封装的组件兼容。VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术支持热线(400-655-8788),帮助用户解决问题和提供必要的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及解决方法:
    - 问题1: 温度过高导致MOSFET失效。
    - 解决办法: 增加散热措施,例如安装更大尺寸的散热片或增加风冷装置。
    - 问题2: 开关过程中的损耗过大。
    - 解决办法: 检查并优化电路设计,选用低RDS(on)的产品。
    - 问题3: 产品出现击穿现象。
    - 解决办法: 检查电路设计是否合理,确保在正常操作条件下不超过规定的电压和电流限制。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPD50P04P4L-11-VB是一款性能优异、适用范围广的P沟道40V MOSFET。其优秀的电气特性和可靠性使其成为众多应用领域的理想选择。特别是对于需要高功率转换和低热阻的应用场景,它能够提供出色的表现。因此,我们强烈推荐使用这款产品。
    更多技术细节和详细规格可参考技术手册。如需进一步的支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

IPD50P04P4L-11参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3nF
最大功率耗散 3W
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.020Ω@VGS = -10 V ID = -50 A,TJ = 175 °C
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 27.9nC@ 4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50P04P4L-11厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50P04P4L-11数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50P04P4L-11 IPD50P04P4L-11数据手册

IPD50P04P4L-11封装设计

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