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IRFB4620PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,35A,RDS(ON),58mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRFB4620PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4620PBF

IRFB4620PBF概述

    IRFB4620PBF-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFB4620PBF-VB 是一款N沟道200V(漏-源)功率MOSFET。它采用了先进的TrenchFET®技术,能够在工业级应用中提供出色的性能和可靠性。该产品的工作温度范围广泛,适用于各种恶劣的环境条件。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏-源电压 \(V{DS}\): 200 V
    - 栅-源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \(ID\):
    - \(TJ\) = 25°C 时:3 A
    - \(TJ\) = 125°C 时:2.3 A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 70 A
    - 冲击电流 \(I{AR}\): 35 A
    - 反复冲击能量 \(E{AR}\): 61 mJ
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻 \(R{thJA}\): 40 °C/W
    - 结至外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.5 °C/W
    - 静态特性
    - 漏-源击穿电压 \(V{DS}\): 200 V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2~4 V
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\): 1 μA
    - 导通状态漏极电流 \(I{D(on)}\): 70 A
    - 漏-源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10\) V, \(ID = 20\) A: 0.058 Ω
    - \(TJ = 125°C\): 0.130 Ω
    - \(TJ = 175°C\): 0.170 Ω
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2690 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 200 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 110 pF
    - 总栅电荷 \(Qg\): 95~140 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 28 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 34 nC
    - 开启延时时间 \(td(on)\): 22~35 ns
    - 上升时间 \(tr\): 220~330 ns
    - 关闭延时时间 \(td(off)\): 40~60 ns
    - 下降时间 \(tf\): 145~220 ns
    - 源-漏二极管参数
    - 源-漏二极管连续电流 \(IS\): 45 A
    - 源-漏二极管脉冲电流 \(I{SM}\): 70 A
    - 前向电压 \(V{SD}\): 1~1.5 V
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 150~225 ns
    - 最大反向恢复峰值电流 \(I{RM(REC)}\): 12~18 A
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 0.9~2 μC

    产品特点和优势


    - 高耐热性:具有175°C的结温耐受能力,适合于高温环境。
    - 低热阻封装:采用新低热阻封装设计,确保更高效的散热性能。
    - RoHS兼容:符合欧盟RoHS指令,环保且对人体无害。
    - 高可靠性:具备良好的稳定性及长期可靠性,适合工业级应用。
    - 超低导通电阻:最小导通电阻为0.058 Ω,提升能效。

    应用案例和使用建议


    - 工业应用:广泛应用于电机控制、电源转换等领域。
    - 开关电源:作为主开关器件,适用于高效率的开关电源系统。
    - 电机驱动:可以用于各类电机驱动电路,如风扇、泵等。
    使用建议:
    - 在应用过程中,应严格遵循数据手册中的参数限制,避免过载。
    - 对于高频率开关应用,需要注意栅极驱动的设计以减少开关损耗。
    - 在选择冷却方案时,应考虑散热器的安装位置,以达到最佳散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFB4620PBF-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于与其他同类产品互换使用。
    - 技术支持:提供完整的数据手册和技术支持文档,可以通过服务热线(400-655-8788)获取进一步的技术咨询和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定该器件的最大连续工作电流?
    - 答:参考数据手册中的绝对最大额定值表,可以看到在不同温度下的最大连续漏极电流。例如,当 \(TJ\) = 25°C 时,最大连续漏极电流为 3 A;而当 \(TJ\) = 125°C 时,最大连续漏极电流降至 2.3 A。
    2. 问:在高功率应用中,如何防止过热损坏?
    - 答:需选择合适的散热方案,比如使用高性能散热器,并保证良好的气流循环。同时,尽量避免长时间过载运行,合理安排散热间隔。

    总结和推荐


    IRFB4620PBF-VB 是一款功能强大、性能稳定的N沟道200V MOSFET,特别适合于工业应用。其优越的耐高温能力、低导通电阻以及高可靠性使其在许多应用场景中表现出色。通过合理的设计和正确的使用方法,可以充分发挥其潜力,满足各种需求。因此,强烈推荐这款产品给需要高性能功率管理解决方案的应用场景。

IRFB4620PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 35A
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.69nF
Rds(On)-漏源导通电阻 0.17Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A,TJ = 175 °C
最大功率耗散 300W
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFB4620PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4620PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4620PBF IRFB4620PBF数据手册

IRFB4620PBF封装设计

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