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VBZL20N60S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBZL20N60S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZL20N60S

VBZL20N60S概述

    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高电压和高效率应用设计。它适用于多种应用场景,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及照明设备和工业设备。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):最大值为600V
    - 通态电阻(RDS(on)):在25°C时最大值为0.15Ω,栅极电压(VGS)= 10V
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为70nC
    - 栅极电容(Qgs):7.8nC
    - 栅漏电容(Qgd):9nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):600V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C):在10V VGS下,TC = 25°C时为20A,TC = 100°C时为10A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):485mJ
    - 最大功耗(PD):205W/35W
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):最大值为1440pF
    - 输出电容(Coss):-80pF
    - 反向转移电容(Crss):4pF
    - 有效输出电容(时间相关)(Co(tr)):213pF
    - 热特性
    - 最大结到环境的热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳的热阻(RthJC):0.7°C/W

    3. 产品特点和优势


    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 具有多项独特功能和优势,使其在各种应用中表现出色:
    - 低损耗:低导通电阻和低栅极电荷确保了更低的开关和传导损耗。
    - 快速开关:低输入电容(Ciss)和有效的栅极电荷使开关速度更快。
    - 可靠性和耐用性:经过严格测试的单脉冲雪崩能量(EAS)确保了更高的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 广泛应用于多种高电压和高效率系统中,例如:
    - 服务器和电信电源供应系统:利用其低损耗和高可靠性,降低整体系统能耗。
    - 照明设备:特别是高强度放电灯(HID)和荧光灯系统,确保高效的能量转换和稳定的光源。
    - 工业设备:适用于需要高稳定性和高可靠性的工业控制应用。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其高功耗和热特性,建议采用良好的散热措施,如增加散热片或使用水冷系统。
    - 驱动电路:确保驱动电路的稳定性,以防止高频振荡对MOSFET造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准接口兼容,适用于多种不同的电源管理系统。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指南、安装指导和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保MOSFET的温度不超过最大额定值。
    - 问题2:开关频率过高导致失效。
    - 解决方案:调整驱动电路参数,降低开关频率,以减少损耗。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 是一款高效率、高可靠性的功率场效应晶体管。它的低损耗、快速开关和高可靠性使其成为众多高电压应用的理想选择。鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐用于需要高效能、高可靠性的电力系统。

VBZL20N60S参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZL20N60S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZL20N60S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZL20N60S VBZL20N60S数据手册

VBZL20N60S封装设计

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