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IPP200N15N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,45A,RDS(ON),45mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IPP200N15N3 G TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP200N15N3 G

IPP200N15N3 G概述

    IPP200N15N3G-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP200N15N3G-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道150V(漏源)175℃ MOSFET。该产品采用了先进的TrenchFET技术,具有高可靠性、低热阻等显著优势。主要应用于电源转换和电机控制等领域,例如开关电源、不间断电源(UPS)、电池充电器和驱动电路等。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 150 V
    - 栅极阈值电压:VGS(th) = 2 ~ 4 V
    - 最大漏源电流:IDM = 150 A
    - 连续漏源电流(TJ = 175 ℃):ID = 50 A
    - 脉冲漏源电流:IDM = 150 A
    - 热阻(结到环境):RthJA = 40 °C/W
    - 热阻(结到外壳):RthJC = 0.9 °C/W
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.030 Ω @ VGS = 10 V, ID = 15 A;RDS(on) = 0.033 Ω @ VGS = 6 V, ID = 10 A
    - 零栅极电压漏电流:IDSS = 1 μA @ VDS = 120 V, VGS = 0 V, TJ = 125 ℃

    产品特点和优势


    - 耐高温:IPP200N15N3G-VB 能够在高达175 ℃的结温下正常工作,适用于高温环境。
    - 低热阻:新设计的封装具有较低的热阻,能够有效散热,延长使用寿命。
    - PWM优化:专门优化用于脉宽调制(PWM)操作,提高效率。
    - 环保合规:符合RoHS标准,适用于欧洲市场。
    - 可靠的设计:采用TrenchFET技术,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:IPP200N15N3G-VB 主要应用于高频开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)等需要高可靠性、高效能的场景。
    - 使用建议:在使用该器件时,应注意散热设计,避免长时间工作在过载状态。通过合理布局和选择合适的PCB材料,可以有效提升散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPP200N15N3G-VB 可与标准的TO-220AB插座兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、技术文档和热线电话400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下使用时,如何避免过热?
    - A: 确保良好的散热设计,如使用大功率散热器或增加风扇冷却。另外,适当降低工作负载或使用具有更高热阻的PCB材料。

    - Q: 使用过程中出现异常温度升高,如何排查?
    - A: 检查散热系统是否正常工作,确保器件安装平整且接触良好。如果散热仍不理想,可能需要更换更高效的散热方案或重新设计电路布局。

    总结和推荐


    IPP200N15N3G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合需要高可靠性、高效能的电源转换和电机控制系统。其高耐温能力、低热阻和优化的PWM操作使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在高温环境下的电力电子产品中使用IPP200N15N3G-VB,以获得最佳性能和可靠性。
    注: 本文档提供的信息和数据仅供参考,实际应用时请根据具体条件进行验证。

IPP200N15N3 G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.076Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 125 °C
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 166W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP200N15N3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP200N15N3 G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP200N15N3 G IPP200N15N3 G数据手册

IPP200N15N3 G封装设计

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