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IRFL110TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V);SOT223
供应商型号: 14M-IRFL110TRPBF SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF概述

    # IRFL110TRPBF-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IRFL110TRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,由 VBsemi 生产,属于 TrenchFET® 系列产品。该器件具有出色的热稳定性和高可靠性,适用于各种工业及消费类电子产品。其主要功能包括高效电流控制、低导通电阻(RDS(on))以及高达 175°C 的最大结温,使其成为高压开关电路的理想选择。
    主要特性
    - 符合 RoHS 和无卤素标准
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 高击穿电压(VDS)
    - 支持高达 175°C 的工作温度
    - 超薄 SOT-223 封装
    应用领域
    - 工业控制
    - 电源管理
    - 变频器
    - 汽车电子

    技术参数


    以下是 IRFL110TRPBF-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.100 | 0.140 | Ω |
    | 击穿电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 40 | - | A |
    | 最大功耗 | PD | - | 3.3 | - | W |
    | 最大栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | 36 | - | 45 | °C/W |

    产品特点和优势


    IRFL110TRPBF-VB 的独特功能和优势如下:
    1. 高性能 TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽结构设计,显著降低导通电阻,提升效率。
    2. 高温适应能力:最大结温可达 175°C,适合恶劣的工作环境。
    3. 环保设计:符合 RoHS 和无卤素要求,满足现代电子产品环保需求。
    4. 低功耗:极低的导通电阻有效减少发热,延长使用寿命。
    5. 紧凑封装:SOT-223 封装便于表面贴装,节省空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFL110TRPBF-VB 广泛应用于以下领域:
    - 电机驱动电路:通过高效的电流控制实现平稳运行。
    - 开关电源:利用其低功耗特性提高整体效率。
    - 汽车电子:在高电压和高温环境下表现优异。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保漏极电流不超过额定值,避免器件过载。
    - 为防止过热,建议在外壳设计中加入良好的散热措施。
    - 定期检查工作温度,避免长时间处于极限条件下运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRFL110TRPBF-VB 可与多种标准电路板和组件兼容,广泛适用于不同类型的 PCB 设计。
    厂商支持
    VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括:
    - 技术咨询热线:400-655-8788
    - 在线文档和技术资料下载
    - 定制化技术支持服务

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 器件过热 | 增加散热片或改善空气流通 |
    | 工作电压超出范围 | 确保输入电压符合规定要求 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量或更换新器件 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRFL110TRPBF-VB 是一款性能卓越的 N 沟道功率 MOSFET,具有以下优点:
    - 极低的导通电阻和高效的开关性能
    - 高温适应能力使其适用于苛刻环境
    - 紧凑的封装便于集成
    - 绿色环保的设计符合行业趋势
    推荐结论
    基于以上特点,IRFL110TRPBF-VB 强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的电子应用场合。无论是工业控制还是消费类产品,它都能提供出色的解决方案。建议客户在使用前详细阅读技术手册,并结合具体需求进行测试验证。
    如需进一步咨询或购买,请联系 VBsemi 官方客服:400-655-8788。

IRFL110TRPBF参数

参数
栅极电荷 50nC
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.7W
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10V,42.4A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFL110TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFL110TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF数据手册

IRFL110TRPBF封装设计

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