处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD90N06S4-05

IPD90N06S4-05

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD90N06S4-05 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD90N06S4-05

IPD90N06S4-05概述

    # N-Channel 60V (D-S) 175°C MOSFET IPD90N06S4-05-VB 技术手册

    产品简介


    IPD90N06S4-05-VB 是一款 N-Channel 60V 功率 MOSFET,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动和照明系统等领域。它采用先进的 TrenchFET® 技术,具备低热阻和高可靠性,适用于高功率应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 60 | V |
    | 最大栅源电压 | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | 97 (25°C) / 56 (125°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 | 290 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | 45 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 101 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 136 (25°C) / 45 (125°C) | W |
    | 工作温度范围 | -55 到 +175 | °C |
    | 热阻(结到环境)| 50 | °C/W |
    | 热阻(结到外壳)| 1.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提高开关速度,降低导通电阻,提升整体效率。
    2. 低热阻封装:确保高效散热,延长使用寿命。
    3. 100% 测试:保证产品质量,提供可靠性和稳定性。
    4. 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制系统:用于电机驱动和传感器接口。
    - 电源管理:适用于开关电源转换和稳压电路。
    - 照明系统:用于 LED 驱动电路,实现高效的电能转换。
    使用建议
    - 在设计电路时,需考虑温度和电流波动对性能的影响。
    - 确保散热片的合理设计,避免因过热导致的故障。
    - 注意脉冲电流的使用限制,避免超过额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与其他标准 MOSFET 和相关组件兼容。
    - 支持和服务:请联系 VBsemi 客服热线 400-655-8788 获取技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备温度过高
    - 解决方案:检查散热片的设计是否合理,确保足够的空气流通和冷却。
    2. 问题:电流超出额定值
    - 解决方案:重新校准电路,减少负载,确保电流不超过额定值。
    3. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:检查门极电阻设置,优化电路布局,提高门极驱动信号的质量。

    总结和推荐


    IPD90N06S4-05-VB 是一款高性能的 N-Channel 60V MOSFET,具备卓越的性能和可靠性,适用于多种高功率应用场合。它独特的 TrenchFET® 技术使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐使用此产品以提升系统的整体性能和稳定性。

IPD90N06S4-05参数

参数
配置 -
栅极电荷 11nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.06nF@25V
最大功率耗散 136W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3.2A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.0149Ω ID = 25 A,TJ = 175 °C
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD90N06S4-05厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD90N06S4-05数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD90N06S4-05 IPD90N06S4-05数据手册

IPD90N06S4-05封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.1445
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 10.72
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0