处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZMB2N65

VBZMB2N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBZMB2N65
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB2N65

VBZMB2N65概述


    产品简介


    VBZMB2N65 N-Channel 650V MOSFET
    VBZMB2N65 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等电力电子领域。该产品采用 TO-220 FULLPAK 封装形式,具备低导通电阻和高雪崩耐受能力,能够满足各种苛刻的应用需求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 ±30 | V |
    | 漏源电压 | VDS 650 | V |
    | 漏极连续电流 | ID 1.28 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 8 | A |
    | 雪崩能量 | EAS 165 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR 2 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR 6 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD 25 | W |
    | 导通电阻 | RDS(on) 4.0 Ω |
    | 输入电容 | CISS 1000 pF |
    | 输出电容 | COSS 45 pF |
    | 有效输出电容 | COSS eff.
    | 门极电荷 | QG 11 | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) 14 ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) 34 ns |
    | 体二极管正向恢复时间 | trr 180 | 230 | ns |
    | 体二极管反向恢复电荷 | Qrr 2.1 | 3.2 | µC |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低 Qg 值简化了驱动要求,降低了功耗。
    2. 增强的坚固性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。
    3. 全面表征:全面测试的电容和雪崩电压及电流特性。
    4. 符合 RoHS 标准:满足无铅环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在 24V 和 48V 系统中作为高效开关管。
    - 逆变器:用于光伏逆变器中的功率转换。
    - 电机驱动:作为电机控制系统的驱动开关管。
    使用建议
    - 在设计时考虑栅极驱动电阻的选择,以确保快速和稳定的开关过程。
    - 使用良好的散热设计,以提高 MOSFET 的长期可靠性。
    - 注意电路布局的低寄生电感,以减少振铃效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的驱动电路兼容,适用于大多数工业标准应用。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和专业技术支持,帮助客户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何降低 MOSFET 的温度?
    - 解决办法:使用合适的散热器并保证良好的热流通路径。
    2. 问题:MOSFET 在高温下性能下降如何处理?
    - 解决办法:通过优化电路设计和增加散热措施来减少热量产生。
    3. 问题:开启和关断时间较长怎么办?
    - 解决办法:调整栅极电阻,选择合适的驱动器,以加快开关速度。

    总结和推荐


    VBZMB2N65 是一款具有高性能和稳定性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高压电力电子应用。其优异的电气特性和可靠的耐用性使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高可靠性和效率的应用场合,强烈推荐使用此产品。

VBZMB2N65参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZMB2N65厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB2N65数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB2N65 VBZMB2N65数据手册

VBZMB2N65封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336