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IRF7342D2TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.3A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF7342D2TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7342D2TRPBF

IRF7342D2TRPBF概述

    IRF7342D2TRPBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    产品名称: IRF7342D2TRPBF-VB
    产品类型: 双极型P沟道60V(D-S)MOSFET
    主要功能: 高效开关和负载控制
    应用领域: 主要用于负载开关,在电源管理和转换中广泛应用

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): -60V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):
    - TA = 25°C: 5.3A
    - TA = 70°C: 5.0A
    - 脉冲漏极电流(IMD): -32A
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C): 4.0W
    - 栅极泄漏电流(IGSS): VDS = 0V时为±100nA
    - 阈值电压(VGS(th)): -1.0V到-3.0V
    - 开启状态漏极电阻(RDS(on)): 在VGS = -10V时为0.054Ω
    - 栅极电荷(Qg): 17nC
    - 输入电容(Ciss): 1345pF
    - 反向传输电容(Crss): 180pF
    - 结到环境热阻(RthJA): 38°C/W

    产品特点和优势


    - 无卤素: 符合RoHS标准,环保友好。
    - 高效设计: 采用TrenchFET® Power MOSFET技术,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
    - 严格测试: 所有产品经过100% UIS测试,保证质量和可靠性。
    - 高可靠性: 经过严格的耐压、电流和温度测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 适用于各种负载开关场合,如电源管理和电池管理系统中的开关控制。
    使用建议:
    - 散热管理: 使用时需要注意良好的散热管理,以避免因过热导致的性能下降或损坏。
    - 电路布局: 建议采用低阻抗引脚连接和合适的接地设计,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准SO-8封装兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持: 供应商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户进行产品选择和设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗大
    解决: 确保正确的驱动电压和优化电路布局,使用合适的外围元件以降低损耗。
    - 问题: 寿命短
    解决: 检查散热是否足够,确保温度不超过规定范围,避免长时间过载工作。
    - 问题: 开关延迟时间长
    解决: 优化栅极驱动电路,确保足够的驱动电流,减少上升时间和下降时间。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF7342D2TRPBF-VB是一款高性能的双P沟道60V MOSFET,以其低导通电阻、高效的栅极驱动特性和严格的测试标准而著称。它非常适合在电源管理和负载开关等应用中使用。
    推荐:
    鉴于其优良的性能和高可靠性,我们强烈推荐该产品用于各种高要求的电力电子系统中。无论是对于新项目还是现有系统的升级,IRF7342D2TRPBF-VB都将是理想的选择。

IRF7342D2TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.3A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.06Ω@VGS = -4.5 V,ID = -6.2 A(typ)
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7342D2TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7342D2TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7342D2TRPBF IRF7342D2TRPBF数据手册

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