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IPD90P04P4-05

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-110A,RDS(ON),4.8mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD90P04P4-05 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD90P04P4-05

IPD90P04P4-05概述

    P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,广泛应用于电源管理、电机控制、电池充电等领域。此款MOSFET采用了TrenchFET®工艺,具有低热阻、高可靠性等特点,适用于多种高压应用场合。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - VDS (Drain-Source Breakdown Voltage): -40V
    - VGS (Gate-Source Voltage): ±20V
    - VDS (Drain-Source On-State Voltage): -40V
    - 电流参数
    - ID (Continuous Drain Current): -90A
    - IS (Continuous Source Current): -100A
    - IDM (Pulsed Drain Current): -280A
    - ISM (Pulsed Current): -160A
    - 电阻参数
    - RDS(on) (On-State Resistance):
    - VGS = -10V 时:0.0068Ω
    - VGS = -4.5V 时:0.0130Ω
    - 温度范围
    - TJ, Tstg (Operating Junction and Storage Temperature Range): -55°C 至 +175°C
    - 热阻参数
    - RthJA (Junction-to-Ambient Thermal Resistance): 50°C/W
    - RthJC (Junction-to-Case Thermal Resistance): 1.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低热阻: 采用低热阻封装,提高了散热效率,保证长时间工作的稳定性。
    - 高可靠性和稳定性: 经过严格的测试验证,确保在极端环境下仍能保持高性能。
    - 宽温度范围: 能够在极端温度下正常工作,适合于各种严苛的应用场景。
    - 快速开关性能: 具备优异的开关性能,减少能耗,提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理: 在电源管理系统中用于控制电路的通断,提升系统整体效率。
    - 电机控制: 适用于各种电机控制电路,提供稳定的驱动信号。
    - 电池充电: 可用于高效电池充电系统,减少发热和能耗。
    使用建议:
    - 并联使用: 当需要更大电流时,可以考虑多个MOSFET并联使用。
    - 散热设计: 确保良好的散热设计,避免因过热而导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与市面上主流的PCB板和焊盘尺寸兼容。
    - 厂商支持: 提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如增加散热片或改善通风条件。

    - 问题2: 开关过程中产生过大的损耗。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻,以优化开关时间。

    7. 总结和推荐


    P-Channel 40V MOSFET凭借其高可靠性和优异的性能,适用于广泛的工业应用。无论是电源管理、电机控制还是电池充电,这款MOSFET都能胜任,并且在恶劣环境下表现出色。因此,强烈推荐给对高性能、高可靠性有要求的用户和工程师。
    本文档中的所有信息均来自P-Channel 40V MOSFET的技术手册,如有任何疑问,建议联系官方客服获取更多帮助。

IPD90P04P4-05参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
栅极电荷 11nC@ 10V
最大功率耗散 136W
Id-连续漏极电流 90A
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.675nF
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD90P04P4-05厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD90P04P4-05数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD90P04P4-05 IPD90P04P4-05数据手册

IPD90P04P4-05封装设计

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