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QM6008D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-QM6008D TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM6008D

QM6008D概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册



    产品简介




    基本信息

    QM6008D 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器以及电机驱动等领域。MOSFET以其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性而著称,是现代电力电子系统的关键组件。

    主要功能

    - 直流/交流转换:适用于直流到交流的电力转换过程。
    - 电机控制:可以作为电机驱动电路中的关键控制元件,实现高效的电力转换和控制。
    - 其他应用:还可以用于电源管理和保护电路中。


    技术参数




    静态参数

    - 漏源击穿电压 \( V_{DS} \):60V
    - 栅阈值电压 \( V_{GS(th)} \):1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅电压漏电流 \( I_{DSS} \):1 µA @ 60 V, \( V_{GS} \)=0 V;1 µA @ 60 V, \( V_{GS} \)=0 V, \( T_J \)=125 °C;50 µA @ 60 V, \( V_{GS} \)=0 V, \( T_J \)=150 °C
    - 导通状态漏电流 \( I_{D(on)} \):20 A
    - 导通状态漏源电阻 \( R_{DS(on)} \):0.073 Ω @ 10 V, 6.6 A;0.085 Ω @ 4.5 V, 6 A
    - 前向跨导 \( g_{fs} \):25 S
    - 输入电容 \( C_{iss} \):860 pF
    - 输出电容 \( C_{oss} \):85 pF
    - 反向转移电容 \( C_{rss} \):40 pF
    - 总栅极电荷 \( Q_g \):19.8 nC

    动态参数

    - 开启延迟时间 \( t_{d(on)} \):8 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=10 V, \( R_g \)=1 Ω;38 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=4.5 V, \( R_g \)=1 Ω
    - 上升时间 \( t_r \):11 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=10 V, \( R_g \)=1 Ω;58 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=4.5 V, \( R_g \)=1 Ω
    - 关闭延迟时间 \( t_{d(off)} \):18 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=10 V, \( R_g \)=1 Ω;18 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=4.5 V, \( R_g \)=1 Ω
    - 下降时间 \( t_f \):5 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=10 V, \( R_g \)=1 Ω;8 ns @ 30 V, 9.6 Ω 负载, \( V_{GEN} \)=4.5 V, \( R_g \)=1 Ω


    产品特点和优势



    - TrenchFET® Power MOSFET 技术:显著降低了导通电阻和开关损耗,提高了能效。
    - 100% RG 和 UIS 测试:确保了产品的稳定性和可靠性。
    - 材料分类合规:符合欧盟RoHS和无卤素标准,环保安全。


    应用案例和使用建议



    应用案例

    - DC/DC转换器:可应用于各类电源模块中,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:适用于工业自动化和电动车辆的电机控制系统。
    - 直流到交流逆变器:可提供高效的电力转换解决方案。

    使用建议

    - 温度管理:注意散热设计,特别是在高功率应用中,应采用合适的散热片和风扇以保持良好的热管理。
    - 驱动电路设计:合理选择栅极电阻 \( R_g \),以优化开关时间和减少振铃现象。


    兼容性和支持



    - 兼容性:与标准TO-252封装兼容,适用于各种标准PCB布局。
    - 支持:提供详尽的技术手册和技术支持,涵盖安装、调试和故障排除指南。


    常见问题与解决方案



    常见问题

    1. 高电流时发热严重:确保良好的散热设计,使用合适的散热片。
    2. 开关时间过长:检查栅极电阻 \( R_g \) 设置,适当减小以提高开关速度。
    3. 栅极击穿:使用适当的驱动电路,确保 \( V_{GS} \) 不超过最大额定值。

    解决方案

    1. 优化散热设计:增加散热片面积,提高空气流通。
    2. 调整栅极电阻 \( R_g \):降低栅极电阻,但要注意不会导致驱动电流过高。
    3. 增强驱动电路保护:增加栅极电阻,限制驱动电流。


    总结和推荐



    综合评估

    QM6008D N-Channel 60V MOSFET 在设计上具有很高的可靠性和高效性,特别适合于需要高性能电力转换的应用场合。其优异的导通电阻和快速的开关特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。

    推荐

    强烈推荐使用QM6008D N-Channel 60V MOSFET,特别是对于需要高效、可靠电力转换的应用场景。它的高性价比和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。

QM6008D参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM6008D厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM6008D数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM6008D QM6008D数据手册

QM6008D封装设计

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