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FDT86246

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,2A,RDS(ON),266mΩ@10V,332.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2SVth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-FDT86246 SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDT86246

FDT86246概述


    产品简介


    N-Channel 150V MOSFET (型号:FDT86246-VB) 是一种用于开关电源应用的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这种器件具有卓越的导通电阻和高耐热性能,适用于各种高功率和高效率的应用场景。它的主要功能是作为开关电路中的主侧开关,广泛应用于直流变换器、电机驱动和其他需要高效转换和控制电能的应用领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):150 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 最大连续漏电流 (TC):25 °C时为5 A,125 °C时为3 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):10 A
    - 最大脉冲能量 (EAS):18 mJ (0.1 mH电感)
    - 最大功率耗散 (PD):25 °C时为96 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 175 °C
    - 封装形式:SOT-223
    - 热阻 (RthJA):10秒内典型值为15°C/W,稳态最大值为50°C/W
    - 静态门泄漏电流 (IGSS):VDS = 0 V, VGS = ±20 V时为±100 nA
    - 零门电压漏电流 (IDSS):VDS = 200 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C时为50 μA
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):在VGS = 10 V, ID = 3 A时典型值为0.283 Ω
    - 前向转移电容 (Ciss):VGS = 0 V, VDS = 25 V时为1800 pF
    - 输出电容 (Coss):180 pF
    - 反向传输电容 (Crss):80 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):34 nC (VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)
    - 上升时间 (tr):典型值为50 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):典型值为30 ns
    - 恢复时间 (trr):I = 3 A, dI/dt = 100 A/μs时为180 ns

    产品特点和优势


    N-Channel 150V MOSFET (型号:FDT86246-VB) 具有多项显著的技术优势:
    - 高效的功率损耗:低导通电阻(RDS(on))确保在大电流条件下仍然保持低功率损耗。
    - 宽泛的工作温度范围:-55 °C至175 °C的工作温度范围使其适合于高温及低温极端环境下工作。
    - 符合RoHS标准:产品通过RoHS认证,确保符合环保要求。
    - 高性能设计:采用TrenchFET®技术,提供优异的开关性能和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:该MOSFET广泛应用于直流变换器、电机驱动器和逆变器中,作为主侧开关。
    - 使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的功率耗散能力,需要有效的散热措施以防止过热。
    - 电路布局:合理的PCB布线和热设计可以提高其性能并延长使用寿命。
    - 测试验证:确保在使用前进行充分的电气特性测试,特别是动态特性和瞬态响应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET支持常见的SOT-223封装,易于与其他主流的电子元器件集成。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性、热阻参数等信息。若用户有任何技术问题,可联系供应商获取支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的散热措施?
    - 解决方案:根据MOSFET的最大功率耗散和工作环境选择合适的散热器。可以通过计算热阻来确保散热器能够有效带走热量。

    - 问题2:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:建议选择大于门阈电压(VGS(th))且不超过最大门电压(VGS(max))的驱动电压,以确保良好的开关特性。

    总结和推荐


    N-Channel 150V MOSFET (型号:FDT86246-VB) 是一款高性能的功率场效应晶体管,具备出色的导通电阻和宽泛的工作温度范围。其卓越的电气特性和稳定性使其非常适合应用于需要高效转换和控制电能的各种应用场景。对于需要高可靠性和稳定性的场合,这款产品是一个非常优秀的选择。强烈推荐用于各种开关电源及电机驱动器的设计中。

FDT86246参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDT86246厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDT86246数据手册

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FDT86246封装设计

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