处理中...

首页  >  产品百科  >  VBMB165R07S

VBMB165R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB165R07S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R07S

VBMB165R07S概述


    产品简介


    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET
    该产品是一种高效率的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低电阻和低损耗的特点。主要用于电源管理,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应等。此外,它还适用于照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)及工业应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大650 V,最高工作温度下的电压为650 V。
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为0.7 Ω(在25 °C时,栅源电压VGS为10 V)。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为36 nC。
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值为13.1 nC。
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值为13.8 nC。
    - 绝对最大额定值:栅源电压 (VGS) ±30 V,连续漏极电流 (ID) 在150 °C时达到28 A。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为97 mJ。
    - 最大耗散功率 (PD):最大值为94.94 W。
    - 封装形式:包括O-220AB、TO-220 FULLPAK、TO-252等。
    - 绝对最大额定温度范围:工作温度范围为-55到+150 °C。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻和栅极电荷:这使得其在低损耗状态下运行,能够提高整体能效。
    2. 低输入电容:有助于减少开关过程中的损耗。
    3. 快速开关性能:这使得其特别适用于高频开关应用。
    4. 高可靠性:具备高重复性耐压能力,适用于多种工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:适合用于大型数据中心,帮助提升能源转换效率。
    - 工业控制:适用于各种工业设备中作为电源管理单元,确保系统的稳定运行。
    - 照明系统:例如HID和荧光灯的驱动器,可以显著提高灯具的寿命和光效。

    使用建议:
    - 确保使用适当的散热措施,以维持MOSFET在最佳工作状态。
    - 选择合适的电路布局,降低寄生电感,保证MOSFET稳定运行。
    - 遵循推荐的焊接温度,防止过热损伤。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:4VQFS+VODUJPO MOSFET支持多种封装形式,包括O-220AB、TO-220 FULLPAK和TO-252等,方便不同应用场合的选择。
    - 厂商支持:制造商提供全面的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:过高的栅源电压会导致什么问题?
    - A: 过高的栅源电压会损坏MOSFET。解决方案是确保VGS不超过±30 V。

    2. Q:如何判断MOSFET的漏电流是否正常?
    - A: 检查VGS和ID之间的关系,确保漏电流不超过预期值。可以通过查阅数据手册来确认正常的工作条件。
    3. Q:如果需要更高的耐压能力,应该选择哪种型号的MOSFET?
    - A: 如果需要更高的耐压能力,可以选择更高额定电压的型号,比如VDS超过650 V的MOSFET。

    总结和推荐


    总体来说,4VQFS+VODUJPO Power MOSFET是一款高效且可靠的产品,适用于多种电力管理和控制系统。其独特的技术优势使其在多个行业中具有很高的应用价值。对于需要高能效、低损耗的电源管理系统,这款产品是一个非常值得考虑的选择。因此,我强烈推荐此产品用于各类电源管理和控制需求。

VBMB165R07S参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R07S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R07S VBMB165R07S数据手册

VBMB165R07S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0