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IRLR3103TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRLR3103TRPBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3103TRPBF

IRLR3103TRPBF概述

    IRLR3103TRPBF-VB 技术手册解读

    产品简介


    IRLR3103TRPBF-VB 是一款 N 沟道 30V(D-S)MOSFET,采用 TrenchFET® 技术,专为高性能和高可靠性设计。它具备低导通电阻(RDS(on))的特点,在各种电力系统中广泛应用,例如服务器电源、DC/DC 转换器及 OR-ing 应用。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 电压范围:漏源电压 VDS 最大为 30V。
    - 连续电流能力:漏极电流 ID 在 25°C 时可达 25.8A,在 70°C 时下降至 22A;脉冲电流 IDM 最高达 250A。
    - 导通电阻:在 VGS=10V 和 ID=3A 条件下,RDS(on) 最小值为 0.005Ω;而在 VGS=4.5V 和 ID=37A 条件下,RDS(on) 增至 0.006Ω。
    - 热阻抗:结到环境的最大热阻抗 RthJA 为 32°C/W,结到外壳的最大热阻抗 RthJC 为 0.5°C/W。
    - 工作温度范围:工作结温范围为 -55°C 至 +175°C,存储温度范围同此。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 的出色表现确保了高效的电能转换效率。
    2. TrenchFET 技术:提升了开关速度并减少了开关损耗。
    3. RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU,环保友好。
    4. 高可靠性测试:100% Rg 和 UIS 测试保证了产品的长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    IRLR3103TRPBF-VB 广泛应用于服务器电源管理系统、DC/DC 转换电路以及需要快速响应和高效能的 OR-ing 场景中。建议在选择此器件时考虑其散热设计,尤其是在高功率应用场景下需增加外部散热措施以维持良好性能。

    兼容性和支持


    本产品兼容多种标准接口,并且支持广泛的工业级应用。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括但不限于应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何有效降低发热?
    - 解决方案:确保良好的PCB布局,必要时使用额外散热片。
    - 问题二:启动过程中出现异常噪声?
    - 解决方案:检查栅极驱动电阻值设置是否合适。

    总结和推荐


    总体而言,IRLR3103TRPBF-VB 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用前景。对于寻求高效能且稳定运行的电力管理解决方案来说,这是一款值得推荐的产品。

IRLR3103TRPBF参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR3103TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR3103TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF数据手册

IRLR3103TRPBF封装设计

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