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VBE165R09S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE165R09S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE165R09S

VBE165R09S概述

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    产品简介


    概述
    本文档介绍了型号为VBE165R09S的4VQFS +VODUJPO Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品专为高效能电源转换和控制设计,适用于服务器、电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、高亮度放电灯照明(如高强度气体放电灯)和荧光灯镇流器等工业应用。
    主要功能
    - 低通态电阻 (RDS(on))
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 低栅极电荷 (Qg)
    - 高可靠性重复瞬态脉冲能量处理能力 (EAS)
    应用领域
    - 服务器和电信设备电源管理
    - SMPS(开关模式电源)
    - PFC(功率因数校正)
    - 照明系统(如HID、荧光灯)
    - 工业控制系统
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    技术参数


    关键参数
    - VDS (最大击穿电压):650 V
    - RDS(on) (最大导通电阻):0.5 Ω @ 10 V VGS, 4 A ID
    - Qg (总栅极电荷):16 nC @ 10 V VGS, 4 A ID, 520 V VDS
    - Ciss (输入电容):1471 pF @ 0 V VGS, 100 V VDS, 1 MHz
    绝对最大额定值
    - VDS (漏源电压):650 V
    - VGS (栅源电压):±30 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):12 A @ 10 V VGS
    - 最大单脉冲雪崩能量:87 mJ
    热阻
    - 最大结壳热阻:0.6 °C/W
    - 最大结壳到环境热阻:63 °C/W
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    产品特点和优势


    特点
    - 低通态电阻 (RDS(on)):适用于高效能开关电源
    - 低输入电容 (Ciss) 和低栅极电荷 (Qg):减少开关损耗,提高效率
    - 高重复脉冲能量处理能力 (EAS):适用于严苛的工作环境
    - 良好的散热设计:优化热管理,延长使用寿命
    优势
    - 高可靠性:适用于高要求的应用场合
    - 高效率:降低整体功耗,减少能源浪费
    - 低成本:长期运行降低总体拥有成本
    - 广泛适用性:适合多种复杂的应用环境
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    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在电信和服务器电源供应系统中使用,实现高效电源转换和分配。
    - 在高亮度放电灯和荧光灯镇流器中应用,提供稳定且高效的驱动信号。
    使用建议
    - 在使用时确保散热系统良好,特别是在高电流和高温度条件下工作。
    - 定期检查电路中的电容和电阻值,确保其与MOSFET配合良好。
    - 严格遵守安全规范和制造商的指导方针,确保正确安装和操作。
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    兼容性和支持


    兼容性
    - VBE165R09S与大多数主流电源转换器和逆变器兼容,可以在多种应用场景中灵活使用。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括安装指南、用户手册和故障排除文档。
    - 客户可以联系技术支持部门获取详细的信息和帮助。
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    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题:在高负载下出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件。
    问题
    - 问题:电路切换过程中出现异常噪音。
    - 解决方案:检查电路板布局,减小杂散电感,改善接地平面设计。
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    总结和推荐


    总体评价
    VBE165R09S是一款高性能的Power MOSFET,具备低通态电阻、低输入电容和高可靠性等优点,非常适合于高要求的应用场合,如电信设备、服务器电源和工业控制系统。其广泛的适用性使其成为各种电源管理系统的理想选择。
    推荐
    强烈推荐VBE165R09S用于需要高效电源管理和高性能电源转换的系统。对于任何关注产品可靠性和性能的工程师和设计师来说,这都是一个值得考虑的优秀选择。

VBE165R09S参数

参数
栅极电荷 80nC@ 10V
最大功率耗散 1.6W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4pF@1.0V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBE165R09S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE165R09S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE165R09S VBE165R09S数据手册

VBE165R09S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
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