处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF4104SPBF

IRF4104SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IRF4104SPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF4104SPBF

IRF4104SPBF概述


    产品简介


    产品名称:IRF4104SPBF-VB
    产品类型:N-Channel 40V(D-S)MOSFET(场效应晶体管)
    主要功能:
    - ThunderFET®功率MOSFET:具备卓越的开关性能和低导通电阻。
    - 极高的耐温范围:最高可承受175°C的结点温度。
    - 高强度可靠性测试:100% Rg和UIS测试确保产品耐用性。
    应用领域:
    - 适用于多种电源管理应用,如电机控制、电源转换、电池管理等。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 规格 |
    | :: | :: | :: |
    | 最大耐压(D-S) | VDS | 40 V |
    | 最大栅极电压(G-S) | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150°C) | ID | 100 A |
    | 脉冲漏极电流(t = 100 μs) | IDM | 220 A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | 50 A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | 125 mJ |
    | 最大功耗(Tc = 25°C) | PD | 150 W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +175°C |

    产品特点和优势


    - 高性能ThunderFET®技术:显著提高效率并减少功耗。
    - 耐高温能力:能够在极端条件下稳定运行。
    - 高强度可靠性测试:确保产品具有高可靠性和长寿命。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电机驱动电路:适用于需要高速切换和低导通电阻的应用。
    - 电源转换模块:用于电源管理系统的输入输出端口。
    使用建议:
    - 确保在电路设计时充分考虑散热措施,特别是在高电流工作环境中。
    - 使用符合标准的散热片,以确保长时间稳定工作。
    - 根据具体应用需求,选择合适的栅极电阻(Rg)值以优化性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品采用标准TO-263封装,易于与各种印刷电路板(PCB)兼容。
    支持信息:
    - 客户可联系制造商的服务热线(400-655-8788)获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定合适的栅极电阻(Rg)值?
    解决方案:参考数据手册中的“典型特性图”部分,根据应用所需的栅极充电时间和驱动电流选择合适的Rg值。
    问题2:如何保证产品的长期稳定性?
    解决方案:在使用过程中定期检查散热情况,确保其在额定工作范围内运行。对于高电流应用,需使用额外的散热装置来维持稳定性。

    总结和推荐


    总结:
    IRF4104SPBF-VB是一款高可靠性、高性能的N-Channel 40V MOSFET。其出色的耐温能力和强大可靠性使其成为电机驱动、电源转换等应用的理想选择。通过详细的电气特性和热特性参数说明,用户可以轻松进行设计验证,以确保应用的顺利进行。
    推荐:
    强烈推荐在高可靠性要求的电力电子应用中使用IRF4104SPBF-VB。其卓越的性能、合理的成本以及制造商的优质支持,使其成为电子工程师们值得信赖的选择。

IRF4104SPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF4104SPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF4104SPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF4104SPBF IRF4104SPBF数据手册

IRF4104SPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7534
库存: 100
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 8.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0