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AUIRFZ44ZS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-AUIRFZ44ZS TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AUIRFZ44ZS

AUIRFZ44ZS概述

    AUIRFZ44ZS-VB N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    AUIRFZ44ZS-VB 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司制造的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的耐高温性能。该产品采用 D2PAK (TO-263) 封装形式,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 最大结温:175°C
    - 封装限制:适用于表面贴装
    - 最大漏极连续电流:75A(TJ = 175°C)
    - 最大脉冲漏极电流:200A(t ≤ 10 s)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60V(VGS = 0V,ID = 250 µA)
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1 - 3V(VDS = VGS,ID = 250 µA)
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1 µA(VDS = 60V,VGS = 0V,TJ = 125°C)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):60A(VDS = 5V,VGS = 10V)
    - 导通状态电阻(RDS(on))
    - VGS = 10V,ID = 20A:0.011 Ω(TJ = 25°C)
    - VGS = 10V,ID = 20A,TJ = 125°C:0.016 Ω
    - VGS = 10V,ID = 20A,TJ = 175°C:0.020 Ω
    - VGS = 4.5V,ID = 15A:0.012 Ω
    - 转导电导率(gfs):60 S(VDS = 15V,ID = 20A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):4300 pF(VGS = 0V,VDS = 25V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):470 pF
    - 反向传输电容(Crss):225 pF
    - 总栅极电荷(Qg):47 nC(VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A)
    - 栅极-源极电荷(Qgs):10 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):12 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):10 - 20 ns
    - 上升时间(tr):15 - 25 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):35 - 50 ns
    - 下降时间(tf):20 - 30 ns

    产品特点和优势


    AUIRFZ44ZS-VB 的主要特点是其能够承受高达 175°C 的结温,这使其特别适用于高温环境下的应用。此外,该产品的导通状态电阻(RDS(on))非常低,保证了高效的能量转换效率。同时,其出色的动态参数使得它在高速开关应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    AUIRFZ44ZS-VB 广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。例如,在大功率电机驱动系统中,该产品能够有效提高系统的能效和稳定性。对于使用者而言,建议确保电路设计中充分考虑到产品的最大工作温度范围和电流能力,以避免因过热而导致损坏。

    兼容性和支持


    AUIRFZ44ZS-VB 与其他标准 D2PAK 封装的 MOSFET 产品具有良好的兼容性。VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线文档、样品支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:产品在高温环境下工作时出现不稳定现象。
    - 解决方案:确保电路设计符合产品的绝对最大额定值,并考虑增加散热措施。
    - 问题 2:产品在高速开关过程中出现过高的开关损耗。
    - 解决方案:检查电路布局是否合理,尽量减少寄生电感和电容的影响,并考虑使用更低的开关频率。

    总结和推荐


    AUIRFZ44ZS-VB N-Channel MOSFET 在高温应用和高能效要求的场景中表现出色。其独特的耐高温特性和低导通电阻使其成为众多应用领域的理想选择。对于需要高效、稳定工作的用户来说,强烈推荐使用这款产品。

AUIRFZ44ZS参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AUIRFZ44ZS厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AUIRFZ44ZS数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZS数据手册

AUIRFZ44ZS封装设计

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