处理中...

首页  >  产品百科  >  NTR4502PT3G

NTR4502PT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR4502PT3G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR4502PT3G

NTR4502PT3G概述


    产品简介


    产品类型:P-Channel 30 V MOSFET
    主要功能:这款P沟道30V MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有高效率、低导通电阻等特点,适用于多种移动计算设备和电源转换应用。
    应用领域:
    - 移动计算设备中的负载开关
    - 笔记本适配器开关
    - 直流/直流转换器

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 20 V
    - 连续漏电流(\( TJ = 150 °C \)):5.4 A
    - 脉冲漏电流(\( t = 100 \mu s \)):18 A
    - 最大功率耗散(\( TA = 25 °C \)):2.5 W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):-30 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):-0.5 V 到 -2.0 V
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \):在 \( V{GS} = -10 V \) 时为 0.046 Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \):12 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):150 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):130 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):24 nC 至 36 nC

    产品特点和优势


    - 高效能:采用了先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻和高效率。
    - 可靠性:100% 额定栅极电阻测试确保产品的可靠性。
    - 广泛适用性:适用于笔记本电脑、移动计算设备等多种应用场景。
    - 高温度适应性:工作温度范围广,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在笔记本电脑中作为负载开关,提高电源转换效率。
    - 在手机充电器中作为适配器开关,提供稳定可靠的电源管理。
    使用建议:
    - 为了获得最佳性能,建议将此MOSFET安装在散热良好的PCB板上。
    - 确保电路设计能够承受瞬态电压和电流的变化,避免因过压或过流导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此款MOSFET可以与市面上大多数的电路板兼容,无需额外的适配。
    - 支持服务:制造商提供了全面的技术支持,包括应用指导、故障排除和维修服务。如有需要,可以拨打400-655-8788联系客服。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温度环境下运行时,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片或优化电路布局,提高散热效果。
    2. 问题:启动延迟时间过长。
    - 解决方案:检查并调整栅极电阻(\( Rg \)),确保其符合电路需求。

    总结和推荐


    综上所述,NTR4502PT3G-VB是一款高性能的P-Channel 30 V MOSFET,具备低导通电阻、高效率和广泛的应用场景。其优良的设计和制造工艺使其在市场上具有较强的竞争力。建议在需要高效能电源管理和可靠性的移动计算设备中使用此款MOSFET。

NTR4502PT3G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTR4502PT3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR4502PT3G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTR4502PT3G NTR4502PT3G数据手册

NTR4502PT3G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2142
库存: 1000
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 1.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831