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RDN050N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-RDN050N20 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RDN050N20

RDN050N20概述


    产品简介


    RDN050N20-VB是一款高性能的N沟道200V MOSFET,采用TO-220 FULLPAK封装形式。这款电子元器件专为高电压和高功率场景设计,提供出色的隔离性能和低导通电阻(RDS(on)),广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。产品支持无铅制造工艺,满足RoHS标准,确保环保合规性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.265 | - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 16 | - | nC |
    | 门极电容 | Ciss | - | 560 | - | pF |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 32 | A |
    | 最大连续漏极电流 | ID | 6.5 | - | - | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离:提供2.5kVRMS的高电压隔离能力,适用于严苛的电气环境。
    2. 动态dV/dt性能:优秀的动态开关性能,有效减少EMI干扰。
    3. 低热阻:低热阻设计(RthJA = 65°C/W)可提高散热效率。
    4. 宽温运行:可在-55°C至+175°C的极端环境下稳定运行。
    5. 无铅制造:符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制:用于PLC模块中的信号隔离和功率驱动。
    - 电源管理:作为DC-DC转换器中的主开关管。
    - 电机驱动:驱动三相电机,实现高效能转换。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,建议增加外部散热片以提升散热效果。
    - 在高频开关电路中,注意选择合适的门极驱动电阻(RG),避免过高的dv/dt导致器件损坏。

    兼容性和支持


    RDN050N20-VB与主流电源管理芯片和微控制器具有良好的兼容性,能够无缝集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户快速上手并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少RG电阻值,优化门极驱动电路设计 |
    | 散热不良 | 增加散热片面积,改善热管理系统 |
    | 开关过程出现振荡 | 添加缓冲电路,如RC吸收网络 |

    总结和推荐


    综上所述,RDN050N20-VB凭借其卓越的性能指标、灵活的应用场景及良好的兼容性,成为高性能功率器件的理想选择。尤其适合需要高电压隔离和低导通电阻的场合。强烈推荐此产品用于工业级和消费级的高可靠性设计项目。

RDN050N20参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RDN050N20厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RDN050N20数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RDN050N20 RDN050N20数据手册

RDN050N20封装设计

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型号 价格(含增值税)
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