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ZXMN2F30FHTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-ZXMN2F30FHTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET ZXMN2F30FHTA-VB

    1. 产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能、低导通电阻的电子元器件,特别适用于直流/直流转换器和便携式应用中的负载开关。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,是现代电源管理和电池管理系统中的关键组件。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \):20 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 12 V
    - 连续漏极电流 \( ID \):6 A @ TC = 25 °C, 5.1 A @ TC = 70 °C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):20 A
    - 最大功率耗散 \( PD \):2.1 W @ TC = 25 °C, 1.3 W @ TC = 70 °C
    - 热阻 \( R{thJC} \):100 °C/W
    - 绝对最高工作温度 \( T{J, T{stg}} \):-55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):20 V @ V{GS} = 0 V, ID = 250 µA
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):0.45 V 至 1.0 V @ V{DS} = V{GS}, ID = 250 µA
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \):1 µA @ V{DS} = 20 V, V{GS} = 0 V, TJ = 70 °C
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \):865 pF @ V{DS} = 10 V, V{GS} = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 \( C{oss} \):105 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):55 pF @ V{DS} = 10 V, V{GS} = 5 V, ID = 5.0 A
    - 总栅极电荷 \( Qg \):8.8 nC @ V{DS} = 10 V, V{GS} = 4.5 V, ID = 5.0 A

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同栅源电压下,导通电阻 \( R{DS(on)} \) 的典型值分别为 0.028 Ω (V{GS} = 4.5 V, ID = 5.0 A) 和 0.042 Ω (V{GS} = 2.5 V, ID = 4.7 A),这使得它非常适合于高效率的直流/直流转换器和负载开关应用。
    - 快速开关:具有优秀的开关速度,适用于高频应用。
    - 高可靠性:通过100% Rg测试,确保产品的高可靠性。
    - 环保材料:符合RoHS标准,并且无卤素,满足现代环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:这款MOSFET广泛应用于便携式设备的负载开关和直流/直流转换器中。例如,在手机和平板电脑中作为充电电路的一部分。
    - 使用建议:在设计中需要考虑其热性能,特别是在高功率应用中,确保适当的散热措施。此外,建议在高频应用中使用,以充分利用其快速开关的特点。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品适用于多种标准封装和电路板设计。根据手册中的推荐焊盘尺寸和安装说明,可以轻松集成到现有系统中。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,用户可通过服务热线400-655-8788联系获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流应用中出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或采用更大的PCB面积以改善散热效果。

    - 问题2:电路板安装后出现连接不稳定的情况。
    - 解决方案:确认焊点是否牢固,检查焊盘尺寸是否符合手册要求,并重新焊接。

    7. 总结和推荐


    总体而言,N-Channel 20 V (D-S) MOSFET ZXMN2F30FHTA-VB 是一款高效、可靠的产品,适合用于各种便携式设备和直流/直流转换器。其低导通电阻和快速开关特性使其在现代电力管理和电池管理应用中表现出色。因此,我们强烈推荐此产品用于相关应用场景。

ZXMN2F30FHTA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN2F30FHTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN2F30FHTA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA数据手册

ZXMN2F30FHTA封装设计

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