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IPD90N04S3-04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD90N04S3-04 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD90N04S3-04

IPD90N04S3-04概述

    IPD90N04S3-04-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPD90N04S3-04-VB是一款采用TrenchFET®技术的N沟道功率MOSFET,其主要特征包括低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和高可靠性。此产品适用于同步整流、电源转换等应用领域。

    2. 技术参数


    以下是IPD90N04S3-04-VB的技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):40 V
    - 栅源电压(VGS):±25 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):85 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320 mJ
    - 最大功耗(TJ = 25 °C):312 W
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 典型参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):40 V
    - 门限电压(VGS(th)):1.2 V 至 2.5 V
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):120 A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时:0.0050 Ω
    - VGS = 4.5 V 时:0.0065 Ω
    - 前向跨导(gfs):180 S
    - 输入电容(Ciss):2380 pF
    - 输出电容(Coss):550 pF
    - 逆传输电容(Crss):250 pF
    - 总栅电荷(Qg):80 nC 至 120 nC
    - 栅电阻(Rg):0.85 Ω 至 1.3 Ω

    3. 产品特点和优势


    IPD90N04S3-04-VB的主要优势包括:
    - 低导通电阻:这使得其在高电流应用中具有更低的功率损耗。
    - 快速开关:优秀的动态特性使其适用于高频开关电源。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品的长期稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD90N04S3-04-VB常用于同步整流、电源转换等领域。在具体应用中,建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热管理,以防止过热。
    - 在高频率应用中,利用其快速开关特性,但需注意电容匹配,避免不必要的寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    IPD90N04S3-04-VB的封装形式为TO-252,这种封装形式普遍适用于大多数PCB设计。制造商提供了详尽的文档和技术支持,以帮助客户进行集成和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开关过程中出现过高的电压尖峰?
    - 解决办法:确保电路中使用合适的栅极电阻(Rg),并考虑使用TVS二极管来保护电路。

    - 问题2:在高温下出现性能下降?
    - 解决办法:增加外部散热装置,如散热片或风扇,以确保散热效果。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPD90N04S3-04-VB是一款性能优异的功率MOSFET,特别适合于需要高效率和稳定性的应用场合。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使它成为许多电源设计的理想选择。强烈推荐在高电流和高频应用中使用此产品。

IPD90N04S3-04参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IPD90N04S3-04厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
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2. 应用领域:
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3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
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- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
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VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD90N04S3-04数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD90N04S3-04 IPD90N04S3-04数据手册

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