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NTD110N02RT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,145A,RDS(ON),3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V,15Vgs(±V);0.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NTD110N02RT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G概述

    NTD110N02RT4G-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD110N02RT4G-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel TrenchFET Power MOSFET(沟槽型功率场效应晶体管)。它主要用于开关电源、电机驱动、工业自动化和其他电力转换应用。NTD110N02RT4G-VB 具有高可靠性、高效能和紧凑设计的特点,适用于各种高压、高频应用场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 最大结温 (TJ):175℃
    - 最大漏极电流 (ID):100A(TC = 25℃),80A(TC = 100℃)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 连续源电流 (IS):65A
    - 最大功耗 (PD):71W(TC = 25℃),8.3W(TA = 25℃)
    - 绝对最大温度范围 (TJ, Tstg):-55℃ 至 175℃
    - 热阻 (RthJA):40°C/W(最大)
    - 门体漏电 (IGSS):-100nA
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):1μA(TC = 25℃),50μA(TC = 125℃)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和耐高温:能够承受高达 175℃ 的结温,适合恶劣环境。
    2. 低导通电阻 (rDS(on)):在 VGS = 4.5V 和 2.5V 下分别为 0.0045Ω 和 0.006Ω,保证低损耗。
    3. 快速开关特性:具有良好的动态特性,如低输入电容和低输出电容。
    4. 高电流处理能力:连续漏极电流高达 100A,满足大功率应用需求。
    5. 封装结构紧凑:采用 TO-252 封装,安装便捷,节省空间。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:作为开关管使用,减少导通损耗。
    2. 电机驱动:用于电机控制,实现高效能源转换。
    3. 工业自动化:应用于工业自动化系统中的高压驱动电路。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,以保持器件的长期稳定性。
    - 对于脉冲负载情况,应考虑瞬态热阻抗的影响,选择合适的散热措施。

    兼容性和支持


    - NTD110N02RT4G-VB 与市场上大多数标准 MOSFET 驱动器兼容。
    - VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温下工作,设备发热严重。
    - 解决方案:使用适当的散热器或加装风扇来加强散热。
    2. 问题:负载频繁变化导致器件损坏。
    - 解决方案:根据负载特性调整散热设计,确保器件工作在安全范围内。

    总结和推荐


    总体来说,NTD110N02RT4G-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合于需要高压、高频操作的应用场合。它在工业自动化、电机驱动等领域有着广泛的应用前景。考虑到其出色的特性和 VBsemi 提供的支持,强烈推荐该产品给寻求高效、稳定电力转换解决方案的用户。

NTD110N02RT4G参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD110N02RT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD110N02RT4G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD110N02RT4G NTD110N02RT4G数据手册

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