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VBZ3401A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: VBZ3401A SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZ3401A

VBZ3401A概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司的P-Channel 30V MOSFET(型号:VBZ3401A),这是一款采用TrenchFET®工艺制造的电源MOSFET,主要用于便携式计算设备中,如负载开关、笔记本适配器开关和直流-直流转换器。这款MOSFET具有高效率和低导通电阻的特点,适用于各种需要高可靠性开关的场合。

    技术参数


    - 工作电压: VDS最大为-30V。
    - 连续漏极电流: TC = 25°C时,最大为-5.6A;TC = 70°C时,最大为-5.1A。
    - 脉冲漏极电流: IDM最大为-18A(t = 100µs)。
    - 零栅压漏极电流: IDSS最大为-1µA。
    - 导通电阻:
    - VGS = -10V时,最大为0.046Ω。
    - VGS = -6V时,最大为0.049Ω。
    - VGS = -4.5V时,最大为0.054Ω。
    - 热阻: RthJA最大为100°C/W,RthJF最大为50°C/W。
    - 温度范围: 操作温度范围为-55°C至150°C。
    - 输入电容: Ciss最大为1295pF(VDS = -15V,VGS = 0V,f = 1MHz)。
    - 输出电容: Coss最大为150pF。
    - 反向传输电容: Crss最大为130pF。
    - 总栅电荷: Qg最大为36nC(VDS = -15V,VGS = -10V,ID = -5.4A)。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 导通电阻在不同栅源电压下表现出优异的稳定性。
    - 高可靠性: 100% Rg测试确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
    - 宽工作温度范围: 可以在极端温度环境下正常工作。
    - 快速开关性能: 适合需要快速开关的应用,如笔记本适配器开关。
    - 高耐压能力: 最大工作电压达到-30V,适用于多种高压环境。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本适配器开关: 利用其快速开关能力和低导通电阻,可以有效提高系统的能效。
    - 负载开关: 在电池供电设备中使用时,能够有效减少功率损耗。
    - 直流-直流转换器: 高频率开关特性使其成为理想的电源转换元件。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电阻值合理,避免过高电阻导致开关速度降低。
    - 注意散热设计,特别是高电流应用中,适当的散热片可以延长产品寿命。
    - 在高温环境中使用时,需注意散热管理,以确保器件不会过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET采用标准SOT-23封装,易于与市面上其他常用元器件兼容。
    - 支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持,用户可以通过服务热线(400-655-8788)获取更多信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET温度过高。
    - 解决办法: 确保散热良好,考虑使用散热片或散热膏。
    2. 问题: 开关速度慢。
    - 解决办法: 调整驱动电阻值,尽量减小栅极电阻以提高开关速度。
    3. 问题: 导通电阻偏大。
    - 解决办法: 适当调整栅源电压,使其接近最佳工作点。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi公司的P-Channel 30V MOSFET是一款高性能、高可靠性的电源MOSFET。其低导通电阻、高可靠性、宽工作温度范围等特点使其非常适合用于便携式计算设备、负载开关和直流-直流转换器等领域。对于需要高能效和稳定性的应用来说,该产品是一个理想的选择。强烈推荐使用此产品。

VBZ3401A参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZ3401A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZ3401A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZ3401A VBZ3401A数据手册

VBZ3401A封装设计

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