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IPD50N06S2L-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50N06S2L-13 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2L-13概述


    产品简介


    IPD50N06S2L-13-VB 是一款N沟道60V(D-S)功率MOSFET,专为需要高可靠性、高效能的应用设计。这款MOSFET采用了TrenchFET®技术,能在高温环境下稳定工作,适用于多种工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):100A
    - 最大耗散功率(TA = 25°C):136W
    - 工作结温范围:-55°C至175°C
    - 热阻(稳态):40°C/W
    - 最大结-外壳热阻:1.1°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 门限电压(VGS(th)):4V
    - 零门电压漏电流(IDSS):1µA
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V时:0.010Ω
    - VGS = 4.5V时:0.013Ω
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):2650pF
    - 输出电容(Coss):470pF
    - 反向转移电容(Crss):225pF
    - 总栅极电荷(Qg):47nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):10nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):12nC
    - 开关特性
    - 开启延时时间(td(on)):10ns
    - 上升时间(tr):15ns
    - 关闭延时时间(td(off)):35ns
    - 下降时间(tf):20ns

    产品特点和优势


    - 高温工作能力:能够承受高达175°C的结温,确保在极端环境下依然保持稳定性能。
    - 高可靠性和低功耗:采用TrenchFET®技术,显著降低导通电阻,从而减少功耗,提高整体效率。
    - 快速开关特性:优秀的开关性能,确保在高频应用中的表现优异。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流达到100A,适合高功率应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 工业控制:可用于各种工业控制系统中,如PLC控制单元。
    - 电源管理:适用于高功率转换器、逆变器等电源管理模块。
    - 电机驱动:适用于电机驱动系统,提供高效的电流控制。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,应充分考虑散热措施,确保设备正常运行。
    - 高频应用场合,需注意其快速开关特性可能带来的EMI问题。
    - 选择合适的驱动电路,确保MOSFET的驱动信号能够准确控制其工作状态。

    兼容性和支持


    IPD50N06S2L-13-VB 与大多数标准SMD封装兼容,可以方便地集成到现有电路板设计中。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),帮助客户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度超过额定范围会导致器件损坏。
    - 解决办法:确保设备在规定的工作温度范围内使用,并采取适当的散热措施。

    - 问题2:开关过程中的电磁干扰问题。
    - 解决办法:使用屏蔽线缆和滤波器来减少EMI的影响。
    - 问题3:长期工作导致的可靠性问题。
    - 解决办法:定期进行设备检测和维护,确保其处于良好工作状态。

    总结和推荐


    综上所述,IPD50N06S2L-13-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具有卓越的高温工作能力和快速开关特性。无论是用于工业控制还是电源管理,都能表现出色。我们强烈推荐这款产品,尤其是在高功率和高可靠性要求的应用中。

IPD50N06S2L-13参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N06S2L-13厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N06S2L-13数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N06S2L-13 IPD50N06S2L-13数据手册

IPD50N06S2L-13封装设计

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型号 价格(含增值税)
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