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JCS12N65FT-O-F-N-B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),680mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-JCS12N65FT-O-F-N-B TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS12N65FT-O-F-N-B

JCS12N65FT-O-F-N-B概述

    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高压和高电流的电力转换应用。该产品具有低电阻率和低栅极电荷特性,使得它非常适合于需要高效能和快速响应的应用场景。
    主要应用领域
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)
    - 工业控制

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):± 30V
    - 漏极连续电流(TJ = 150°C):9.4A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 极限工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为0.15Ω
    - 输入电容(Ciss):最大值为330pF
    - 输出电容(Coss):最大值为400pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为96nC
    - 栅源电荷(Qgs):最大值为25nC
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值为22nC
    - 阈值电压(VGS(th)):3V至5V

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和总栅极电荷:这使得器件在导通时表现出较低的损耗,同时开关速度更快。
    - 低输入电容:有助于降低开关过程中的损耗。
    - 耐受高瞬态电压:能够在瞬态电压条件下保持良好的稳定性和可靠性。
    - 低反向恢复电荷:有助于减少开关损耗。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:在这种应用中,这款MOSFET能够承受高压,并且在高频率开关过程中保持稳定的性能。
    - 工业控制:例如在电机驱动和变频器中,该器件的低损耗特性和快速开关能力使其成为理想选择。
    - 建议:为了确保最佳性能,在使用时应注意散热设计,合理分配电流路径以避免过热。此外,可以考虑添加适当的缓冲电路来进一步优化性能。

    兼容性和支持


    - 该产品与标准的TO-220封装兼容,适用于广泛的PCB设计。
    - 厂商提供详细的安装和焊接指导,以及相关的技术支持和保修服务。如果需要更多的信息和技术支持,可以通过厂商的服务热线400-655-8788进行咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或者采用水冷等主动冷却措施,确保器件的工作温度不超过额定值。
    - 问题2:器件在快速开关过程中出现过度损耗。
    - 解决方案:优化电路布局,减小寄生电感和杂散电容,从而降低开关过程中的损耗。


    总结和推荐


    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 是一款集高效、可靠和高性价比于一身的产品。它在多个关键参数上都表现出色,特别是在低导通电阻和总栅极电荷方面。对于需要高压和高电流转换的应用场合,这款MOSFET是一个值得推荐的选择。无论是在服务器、电信还是工业控制领域,这款器件都能满足苛刻的需求。

JCS12N65FT-O-F-N-B参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS12N65FT-O-F-N-B厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS12N65FT-O-F-N-B数据手册

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JCS12N65FT-O-F-N-B封装设计

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