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QM2401K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-QM2401K SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM2401K

QM2401K概述


    产品简介


    QM2401K-VB MOSFET 技术手册
    QM2401K-VB 是一款P沟道20V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的MOSFET具有高效率和低损耗的特点,主要应用于负载开关、功率放大器开关和直流/直流转换器等领域。本产品采用了先进的TrenchFET®技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度,使其成为现代电源管理系统的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):20 V
    - 最大连续漏极电流(ID):-4 A(TC = 25°C),-3.2 A(TC = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):-10 A
    - 最大功率耗散(PD):2.5 W(TC = 25°C),1.6 W(TC = 70°C)
    - 性能参数
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.060 Ω(VGS = -10 V,ID = -3 A),0.065 Ω(VGS = -4.5 V,ID = -2.5 A),0.080 Ω(VGS = -2.5 V,ID = -2 A)
    - 阈值电压(VGS(th)):-0.5 V至-1.5 V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):-10 µA(VDS = -20 V,VGS = 0 V,TJ = 55°C)
    - 输入电容(Ciss):835 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):180 pF
    - 逆向转移电容(Crss):155 pF
    - 总栅极电荷(Qg):10 nC(VDS = -10 V,VGS = -4.5 V,ID = -3.1 A)
    - 电气特性
    - 导通时间延迟(td(on)):22 ns至33 ns
    - 上升时间(tr):20 ns至30 ns
    - 关断时间延迟(td(off)):28 ns至42 ns
    - 下降时间(tf):9 ns至18 ns
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    QM2401K-VB 的主要优势在于其低导通电阻和高速开关能力。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,实现了更低的导通电阻,从而降低了功耗和发热。此外,它还具备100% Rg测试,确保产品质量可靠。其完全符合RoHS标准,无卤素设计,适合用于各种环保要求严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    QM2401K-VB MOSFET 广泛应用于负载开关、功率放大器开关和直流/直流转换器等领域。例如,在负载开关应用中,它能够有效控制电路的通断,提高系统效率。在使用过程中,需要注意选择合适的驱动电压以确保其正常工作。根据手册中的典型特性曲线,当VGS为-10 V时,RDS(on)最低可达0.060 Ω。因此,在实际应用中应确保驱动电压在这一范围内。

    兼容性和支持


    QM2401K-VB 采用TO-236封装,符合SOT-23标准。它可以方便地安装在标准PCB板上,易于与其他电子元件兼容。制造商提供详细的技术支持和服务热线,客户可以通过这些渠道获得帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET无法正常工作
    - 解决方案:检查驱动电压是否正确。确保VGS达到阈值电压范围(-0.5 V至-1.5 V)。

    - 问题:功耗过高
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,尤其是负载电流和驱动条件。考虑降低漏源电压(VDS)或优化驱动电路。

    总结和推荐


    综上所述,QM2401K-VB MOSFET凭借其出色的性能、可靠性和环境友好特性,在多种应用中表现出色。它适用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用场景。我们强烈推荐此产品用于现代电源管理系统,特别是在需要高效率和低损耗的场合。

QM2401K参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM2401K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM2401K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM2401K QM2401K数据手册

QM2401K封装设计

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