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ZVN2120GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-ZVN2120GTA SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN2120GTA

ZVN2120GTA概述

    ZVN2120GTA-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN2120GTA-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 200V MOSFET。这款器件具有出色的动态dv/dt耐受能力、重复雪崩额定值、快速开关性能以及简单的并联要求。这些特性使其广泛应用于各种电力电子系统,如电机控制、电源转换、逆变器和开关模式电源等领域。

    2. 技术参数


    - 电压额定值
    - VDS(漏源电压):200V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 电流参数
    - 漏极连续电流(ID):25°C时为1.0A,100°C时为0.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):5.0A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS=10V时为1.2Ω
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):最大140pF
    - 输出电容(Coss):53pF
    - 反向转移电容(Crss):-15pF
    - 其他参数
    - 最大功率耗散(PD):25°C时为3.1W
    - 热阻抗(RthJA):PCB安装下最大40°C/W
    - 雪崩能量(EAS):50mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):0.96A
    - 重复雪崩能量(EAR):0.31mJ

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt耐受能力:使得器件能够承受高压下的快速变化,适用于高速开关电路。
    - 重复雪崩额定值:允许器件在极端条件下正常工作,增强可靠性。
    - 快速开关:低开关损耗,提高效率。
    - 简单的驱动要求:降低驱动电路复杂度和成本。
    - 并联要求:易于并联多个器件以获得更高的电流处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:该器件广泛应用于电机控制、逆变器、电源转换等场合。例如,在开关模式电源中作为开关管使用,可以提高系统的效率和稳定性。
    - 使用建议:为了最大化性能,建议将器件安装在散热良好的PCB上,避免过热。在设计驱动电路时,应考虑器件的快速开关特性,避免高频振荡和过压问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可方便地与其他标准MOSFET和相关电子元器件兼容,适用于多种电路布局。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和应用指南,同时也提供技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:该器件的最大功率耗散是多少?
    - A: 该器件的最大功率耗散在25°C时为3.1W,在PCB安装下为2.0W。

    - Q:该器件是否适合用于高频电路?
    - A: 是的,由于其快速开关特性和低开关损耗,该器件非常适合用于高频电路。
    - Q:如何正确安装该器件?
    - A: 为了确保最佳性能,建议使用散热良好的PCB安装方式,同时注意避免高温环境。

    7. 总结和推荐


    ZVN2120GTA-VB 是一款高性能的N-Channel 200V MOSFET,具备出色的动态dv/dt耐受能力、重复雪崩额定值和快速开关特性。其简单易用的驱动要求和并联能力使其成为电力电子应用的理想选择。如果你需要一个高效、可靠的MOSFET器件,强烈推荐使用ZVN2120GTA-VB。

ZVN2120GTA参数

参数
最大功率耗散 3.1W
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 8.2nC
Id-连续漏极电流 320mA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZVN2120GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN2120GTA数据手册

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ZVN2120GTA封装设计

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