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JFE150DBVT

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 1.5V@ 100 nA 40V 24mA 40V 贴片安装
供应商型号: JFE150DBVT
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
TEXAS INSTRUMENTS 结型场效应管(JFET) JFE150DBVT

JFE150DBVT概述

    # JFE150 Ultra-Low-Noise, Low-Gate-Current, Audio, N-Channel JFET

    1. 产品简介


    JFE150 是一款高性能的 N 沟道 JFET(结型场效应晶体管),以其超低噪声、极低栅极电流、高输入阻抗和宽温度范围而闻名。它特别适用于对噪声要求极高的音频、声纳(SONAR)、振动分析和其他精密测量领域。JFE150 具备卓越的性能参数和广泛的应用场景,是一款理想的高精度放大器前端组件。
    主要特点
    - 产品类型:N 沟道结型场效应晶体管
    - 主要功能:
    - 超低噪声设计,适用于音频和传感器信号处理
    - 极低的栅极电流,适合高阻抗传感器应用
    - 高输入阻抗和低输入电容
    - 应用领域:
    - 麦克风前置放大器
    - 海洋传感器(如水听器)
    - 音频设备(如混音器、DJ 控制器)
    - 工业传感器和信号调理模块

    2. 技术参数


    以下是 JFE150 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 输入电压噪声密度 | 0.8 | 0.9 | 1.8 | nV/√Hz @ 1 kHz |
    | 输入电流噪声密度 | 1.8 fA/√Hz @ 1 kHz |
    | 栅极电流 | 0.2 | 10 | 20 | pA |
    | 输入电容 | 24 30 | pF |
    | 击穿电压(栅源/漏源) | -40 +40 | V |
    | 饱和电流 | 24 | 35 | 46 | mA |
    | 热电阻(结-环境) | 183.8 197.1 | °C/W |
    | 工作温度范围 | -40 +125 | °C |

    3. 产品特点和优势


    JFE150 的独特功能使其在市场上具有强大的竞争力,具体特点如下:
    1. 超低噪声性能:
    - 在 1 kHz 频率下,输入电压噪声仅为 0.8 nV/√Hz,是目前市场上最安静的 JFET 之一。
    - 支持从 50 μA 到 20 mA 的多种偏置电流设置,提供卓越的信噪比性能。
    2. 极低栅极电流:
    - 最大栅极电流为 10 pA,显著降低输入级噪声,适合高阻抗传感器和精密测量应用。
    3. 高输入阻抗:
    - 输入阻抗高达 >1 TΩ,最大限度减少加载效应并提高信号完整性。
    4. 封装灵活性:
    - 提供 SOT-23 和 SC70 小尺寸封装,满足现代电子产品对空间优化的需求。

    4. 应用案例和使用建议


    JFE150 在多个领域的实际应用中表现出色,以下是一些典型案例及建议:
    应用案例
    - 音频设备:用于 DJ 控制器、混音器和吉他放大器的前置放大器,确保信号纯净无失真。
    - 传感器系统:海洋传感器和工业振动监测系统的信号调理模块,提升检测精度。
    - 专业录音:应用于高端录音设备,改善拾音质量。
    使用建议
    - 确保 VDS 保持在 5V 以下以维持最低的栅极电流。
    - 在设计中加入适当的滤波电路以进一步降低高频噪声干扰。
    - 使用推荐的封装和布局方式以最大化热性能和电磁兼容性。

    5. 兼容性和支持


    JFE150 与主流电子元器件高度兼容,支持广泛的设计需求。此外,TI(德州仪器)提供了全面的技术支持和资源,包括用户指南、参考设计和在线技术支持,帮助用户快速上手并解决可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下列出了用户常见的问题及其解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 噪声水平过高 | 检查电源和接地路径,确保隔离良好。 |
    | 栅极电流过大 | 调整 VDS 至推荐的工作范围内。 |
    | 温度超出正常范围 | 使用热敏电阻进行温度补偿。 |

    7. 总结和推荐


    JFE150 是一款高性能的低噪声 JFET,非常适合需要高精度和低噪声的场景。其独特的设计使得它在音频、传感器和工业设备等领域表现优异。对于需要优化信号链路性能的工程师而言,JFE150 是一个理想的选择。综上所述,强烈推荐 JFE150 作为下一代精密放大器前端的理想组件。
    最终评分:★★★★★
    推荐指数:10/10

JFE150DBVT参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率 -
配置 -
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 24mA
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100 nA
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
击穿电压 40V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JFE150DBVT厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

JFE150DBVT数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS 结型场效应管(JFET) TEXAS INSTRUMENTS JFE150DBVT JFE150DBVT数据手册

JFE150DBVT封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ ¥ 40.1005
1000+ ¥ 39.0544
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