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LM5105SD

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 15ns 2 8V 595ns(Typ) 14V 800mV,2.2V Non-Inverting MOSFET,N沟道 15ns 半桥 1.8A,1.8A SON 贴片安装,黏合安装
供应商型号: LM5105SD
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
TEXAS INSTRUMENTS 栅极电源驱动器 LM5105SD

LM5105SD概述

    # LM5105 高压半桥门极驱动器技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    LM5105 是一款高电压门极驱动器,专门设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧 N-通道 MOSFET。它具有多种显著特性,使其成为工业和消费类电子产品中的关键组件。
    主要功能
    - 双驱动能力:同时驱动高侧和低侧的 N 沟道 MOSFET。
    - 宽电压范围:最高可支持高达 118V 的电源电压。
    - 可编程死区时间:通过外部电阻调整死区时间,范围从 100ns 至 600ns。
    - 快速关断延迟:典型值为 26ns,保证高效的开关性能。
    - 集成启动二极管:简化设计,减少外围元件数量。
    - 逻辑兼容输入:兼容 TTL 信号电平,易于与微控制器接口。
    应用领域
    LM5105 在多种场景中都有广泛应用,包括但不限于:
    - 固态电机驱动器。
    - 半桥及全桥功率转换器。
    - 电源管理系统。

    技术参数


    以下是 LM5105 的主要技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 供电电压(VDD) | 8V | 12V | 14V | V |
    | 高侧驱动电流(HO) | 1.6A | 1.8A | 2.0A | A |
    | 低侧驱动电流(LO) | 1.6A | 1.8A | 2.0A | A |
    | 死区时间(DT1, DT2) | 80ns | 400ns | 600ns | ns |
    | 起动迟滞(VDDR) | 6.0V | 6.9V | 7.4V | V |
    | 温度范围(TJ) | -40°C | +125°C | +150°C | °C |
    工作环境
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C。
    - 绝对最大额定值:VDD 和 HB 至 VSS 的电压为 -0.3V 至 +18V。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高可靠性:集成 UVLO(欠压锁定)保护电路,确保在电源不足时不会误触发。
    2. 灵活性:可编程死区时间满足不同负载需求。
    3. 低功耗:在标准工作条件下,静态电流仅为 0.34mA。
    4. 高速响应:上升/下降时间仅需 15ns,适用于高频开关应用。
    市场竞争力
    - 提供高性价比的解决方案,尤其适合成本敏感型项目。
    - 简化设计流程,缩短开发周期。
    - 灵活适配多种电源电压和频率条件。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 在电机驱动系统中作为主控芯片,实现高效的能量传输。
    - 用于光伏逆变器中的升压电路,提供稳定的输出功率。
    使用建议
    1. 布局优化:
    - 将去耦电容尽量靠近 IC 安装,以降低 ESR/ESL 并提高稳定性。
    - 避免寄生电感过大,特别是在源极和漏极附近。
    2. 保护措施:
    - 设置合适的死区时间以避免直通现象。
    - 确保 VDD 和 HB 之间的充电回路尽可能短。

    兼容性和支持


    兼容性
    LM5105 与大多数 N 沟道 MOSFET 兼容,广泛支持主流半导体品牌的产品。
    支持服务
    - 提供详尽的技术文档和支持文档。
    - 提供样片申请渠道,方便客户测试评估。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后无输出信号 | 检查 VDD 是否超过 UVLO 启动阈值。 |
    | 输出波形出现毛刺 | 调整 RDT 阻值以优化死区时间。 |
    | 功耗异常增大 | 检查电路板布局是否存在电磁干扰。 |

    总结和推荐


    综合评估
    LM5105 是一款高性能、高可靠的高压半桥门极驱动器。凭借其可编程死区时间、快速响应能力和低功耗特性,它非常适合于需要高效能量转换的应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐 LM5105 用于电机控制、电源管理和其他需要高压半桥驱动的应用领域。无论是研发阶段还是批量生产,这款器件都表现出色,是理想的选择。

LM5105SD参数

参数
最小工作供电电压 8V
最大工作供电电压 14V
栅极类型 MOSFET,N沟道
通道类型 -
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,2.2V
下降时间 15ns
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.8A,1.8A
驱动配置 半桥
输入类型 Non-Inverting
上升时间 15ns
最大高压侧电压-自举 -
驱动数量 2
最大传播延迟时间 595ns(Typ)
4.1mm(Max)
4.1mm(Max)
800μm(Max)
通用封装 SON
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

LM5105SD厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

LM5105SD数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS 栅极电源驱动器 TEXAS INSTRUMENTS LM5105SD LM5105SD数据手册

LM5105SD封装设计

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