处理中...

首页  >  产品百科  >  CSD17527Q5A

CSD17527Q5A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 3W(Ta) 20V 2V@ 250µA 3.4nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 10.8mΩ@ 11A,10V 65A 506pF@15V SON 贴片安装 6mm*4.9mm*1mm
供应商型号: CSD17527Q5A
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) CSD17527Q5A

CSD17527Q5A概述


    产品简介


    CSD17527Q5A 电子元器件
    CSD17527Q5A 是一款由德州仪器(Texas Instruments)生产的30V N-Channel NexFET™ 功率 MOSFET。这款器件被设计用于电源转换应用,以最小化损耗。它的主要功能包括低导通电阻、超低栅极电荷和雪崩额定值,使其成为各种网络、电信和计算系统中的点对点同步降压变换器和控制场效应晶体管(FET)应用的理想选择。

    技术参数


    - VDS (Drain to Source Voltage):30V
    - 静态特性
    - BVDSS:30V
    - IDSS:1μA (VGS = 0V, VDS = 24V)
    - IGSS:100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    - VGS(th):1.1V - 2.0V (VDS = VGS, IDS = 250μA)
    - RDS(on):12.5 mΩ (VGS = 4.5V, IDS = 11A); 9.3 mΩ (VGS = 10V, IDS = 11A)
    - 动态特性
    - Qg:2.8 nC (Total gate charge @ 4.5V)
    - Ciss:422 pF (VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz)
    - Coss:286 pF (VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz)
    - Qrr:10.5 nC (VDS = 13V, IF = 11A, di/dt = 300A/μs)
    - 热特性
    - RθJC:1.9 °C/W (Junction to Case)
    - RθJA:51 °C/W (Junction to Ambient)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:低至12.5 mΩ (VGS = 4.5V, IDS = 11A),适用于需要高效率的应用。
    2. 超低栅极电荷:2.8 nC (Total gate charge @ 4.5V),降低了驱动电路的功耗。
    3. 优异的热阻:RθJA = 51 °C/W,在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
    4. 增强的可靠性:雪崩额定值确保在极端条件下仍能可靠工作。
    5. 无卤素且符合RoHS标准:环保材料,适用于各种商业和工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:CSD17527Q5A 主要应用于网络、电信和计算系统中的点对点同步降压变换器。这种应用要求MOSFET具有较低的导通电阻和较小的栅极电荷,以降低系统的整体损耗。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计,确保MOSFET不会过热。
    - 由于该器件具有超低的栅极电荷,可以使用更简单的驱动电路,减少外部组件数量。
    - 注意使用合适的栅极电阻来调节开关速度,平衡开关时间和损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:CSD17527Q5A 采用5mm x 6mm塑料SON封装,易于焊接和安装。其电气特性兼容大多数标准电源转换器设计。
    - 支持:德州仪器提供详尽的技术文档和应用笔记,帮助工程师进行设计和调试。此外,德州仪器还提供在线技术支持和样品申请服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,器件是否能够正常工作?
    - 解决方案:CSD17527Q5A 的工作温度范围为-55°C到150°C。在设计电路时,务必考虑散热措施,确保在最高工作温度下器件不会过热。

    2. 问题:如何优化驱动电路以提高效率?
    - 解决方案:可以使用合适的栅极电阻来调节开关速度。例如,在保证可靠性的前提下,适当增加栅极电阻可以降低开关损耗。

    总结和推荐


    综上所述,CSD17527Q5A 是一款高性能的30V N-Channel NexFET™ 功率 MOSFET,具有低导通电阻、超低栅极电荷和优异的热阻等显著优点。适用于需要高效率和高可靠性的网络、电信和计算系统。对于需要设计高效电源转换器的工程师来说,CSD17527Q5A 是一个非常值得推荐的选择。在实际应用中,用户需要注意散热设计和正确的驱动电路配置,以充分发挥其性能优势。

CSD17527Q5A参数

参数
Id-连续漏极电流 65A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 506pF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3W(Ta)
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 10.8mΩ@ 11A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 3.4nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6mm*4.9mm*1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

CSD17527Q5A厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

CSD17527Q5A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) TEXAS INSTRUMENTS CSD17527Q5A CSD17527Q5A数据手册

CSD17527Q5A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9304
100+ ¥ 2.9161
1000+ ¥ 2.8875
2000+ ¥ 2.8875
库存: 300
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336