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CSD19506KTT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TEXAS INSTRUMENTS
产品描述: 375W(Tc) 20V 3.2V@ 250µA 156nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2.3mΩ@ 100A,10V 200A 12.2nF@40V DDPAK-3,TO-263 贴片安装
供应商型号: CSD19506KTT
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) CSD19506KTT

CSD19506KTT概述

    CSD19506KTT:80V N-Channel NexFET™ 功率MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    CSD19506KTT是一款80V N沟道NexFET™功率MOSFET,具有超低栅极电荷(Qg和Qgd),低热阻,雪崩耐受能力等特点。此款MOSFET特别设计用于减小功率转换应用中的损耗,适用于二次侧同步整流和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 80 V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 持续漏电流 (ID) 200 A |
    | 雪崩耐受能量 (EAS) 832 mJ |
    | 栅极电荷总和 (Qg) 120 | 156 | nC |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | VGS=6V | 2.2 | 2.8 | mΩ |
    VGS=10V | 2.0 | 2.3 | mΩ |
    | 热阻 (RθJC) 0.4 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:CSD19506KTT拥有极低的栅极电荷(Qg和Qgd),这有助于减少开关损耗。
    - 低热阻:热阻低使得散热效果更佳,提高长期运行的可靠性。
    - 雪崩耐受能力:可在高瞬态条件下正常工作,适合应用于恶劣环境中。
    - 符合环保标准:无铅端子镀层,符合RoHS标准,且不含卤素,适用于绿色环保要求高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 二次侧同步整流:在逆变器和电源供应器的输出级中用于降低损耗。
    - 电机控制:作为开关元件,在驱动电机时提高效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在进行系统设计时,确保MOSFET的栅极与源极间有足够的驱动电路以避免欠驱动现象。
    - 选择合适的栅极电阻(RG)来优化开关速度和减少EMI干扰。
    - 注意散热设计,避免过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    CSD19506KTT与各种标准电路板设计兼容,可直接焊接在标准DDPAK/TO-263封装上。德州仪器提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南和焊锡掩膜开口推荐,确保顺利集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高引起发热 | 调低开关频率,增加栅极电阻 |
    | 阈值电压偏移 | 更换栅极驱动电路,重新校准VGS |
    | 高温环境下性能下降 | 加强散热措施,确保良好通风环境 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,CSD19506KTT凭借其优异的性能参数、可靠的应用特性和广泛的应用场景,在众多功率MOSFET产品中脱颖而出。其出色的栅极电荷、低热阻及环保特性使其成为需要高效能功率转换的应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中采用此款MOSFET,相信它将带来显著的性能提升和成本节约。

CSD19506KTT参数

参数
栅极电荷 156nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3mΩ@ 100A,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 200A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12.2nF@40V
最大功率耗散 375W(Tc)
通道数量 1
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 DDPAK-3,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

CSD19506KTT厂商介绍

Texas Instruments(简称TI),是一家总部位于美国德克萨斯州达拉斯的全球性半导体设计与制造公司,成立于1930年。TI是全球领先的模拟技术、数字信号处理和微控制器(MCU)领域的供应商。

主营产品分类:
1. 模拟产品:包括电源管理、信号链和接口产品,广泛应用于工业、汽车、医疗等领域。
2. 嵌入式处理:包括微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)和处理器,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
3. 无线产品:包括无线通信模块和解决方案,应用于物联网、智能城市、智能家居等领域。
4. 计算器:TI也是知名的计算器制造商,拥有多款科学计算器和图形计算器产品。

应用领域:
TI的产品和技术广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车、工业、医疗等多个领域。

优势:
1. 技术创新:TI在模拟、嵌入式处理和无线通信领域拥有强大的研发实力和专利技术。
2. 产品多样性:TI提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 客户支持:TI在全球设有技术支持中心,为客户提供专业的技术支持和解决方案。
4. 供应链管理:TI拥有强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和交付。

CSD19506KTT数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS 场效应管(MOSFET) TEXAS INSTRUMENTS CSD19506KTT CSD19506KTT数据手册

CSD19506KTT封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 17.6764
2000+ ¥ 17.227
3000+ ¥ 16.7776
库存: 20000
起订量: 1000 增量: 500
交货地:
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