处理中...

首页  >  产品百科  >  7N65KL-MTQ-TM3-T

7N65KL-MTQ-TM3-T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-7N65KL-MTQ-TM3-T TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) 7N65KL-MTQ-TM3-T

7N65KL-MTQ-TM3-T概述

    7N65K-MTQ Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:7N65K-MTQ 是一种高电压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Unisonic Technologies Co., Ltd 生产。
    主要功能:该器件设计用于具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性的应用。通常应用于高速开关电源和适配器中。
    应用领域:适用于开关电源、适配器等需要高效率和可靠性的电路设计。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±30V
    - 漏极-源极击穿电压 (BVDSS): 650V
    - 静态漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)): 1.6Ω(VGS=10V, ID=3.5A)
    - 输入电容 (CISS): 980pF(VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz)
    - 输出电容 (COSS): 90pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 5pF
    - 总栅极电荷 (QG): 24.1nC(VDS=200V, ID=7.0A, VGS=10V, IG=3mA)
    - 工作条件
    - 最大漏极电流 (ID): 7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 24A
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dv/dt): 4.5V/ns
    - 工作温度范围 (TOPR): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗
    - 结到环境热阻 (θJA):
    - TO-220/TO-262: 62.5°C/W
    - TO-220F/TO-220F1: 38°C/W
    - TO-220F2/TO-220F3: 38°C/W
    - TO-251/TO-252: 110°C/W
    - 结到外壳热阻 (θJC):
    - TO-220/TO-262: 1.0°C/W
    - TO-220F/TO-220F1: 1.0°C/W
    - TO-220F2/TO-220F3: 3.29°C/W
    - TO-251/TO-252: 2.27°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关能力:具备优异的快速开关性能,适合高频操作。
    - 低导通电阻:在 VGS=10V, ID=3.5A 时,RDS(ON) ≤ 1.6Ω,确保较低的功耗和较高的能效。
    - 高鲁棒雪崩特性:能够承受高能量的雪崩电流,增强耐用性。
    - 改善的 dv/dt 特性:具有更好的 dv/dt 能力,提高系统的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源:利用其快速开关特性,在高频开关电源中表现出色。
    - 适配器:在适配器中实现高效能转换,减少发热并延长使用寿命。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热导致器件损坏。
    - 在选择外围电路组件时,考虑其与 MOSFET 的匹配性,确保系统稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:7N65K-MTQ 可以与多种封装形式(如 TO-220、TO-252)兼容,便于集成到不同的应用环境中。
    - 支持:厂商提供详细的规格书和技术支持,确保用户可以轻松找到解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热片或风扇,避免器件长时间处于高温状态。

    - 问题 2:开关速度慢。
    - 解决方案:检查外围电路,确保栅极驱动电路的输出能力足够强,降低栅极电荷,以加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体评价:7N65K-MTQ 功率 MOSFET 是一款高性能的产品,具有出色的快速开关能力和低导通电阻,适用于各种高要求的开关电源和适配器应用。其优越的性能和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:强烈推荐在需要高效率和可靠性的场合使用 7N65K-MTQ 功率 MOSFET,尤其是对于那些需要高频率操作的应用。通过仔细设计散热和外围电路,可以最大限度地发挥其潜力。

7N65KL-MTQ-TM3-T参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-251

7N65KL-MTQ-TM3-T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 7N65KL-MTQ-TM3-T 7N65KL-MTQ-TM3-T数据手册

7N65KL-MTQ-TM3-T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.3662
10+ ¥ 2.0704
30+ ¥ 1.7007
300+ ¥ 1.5824
4000+ ¥ 1.5233
120000+ ¥ 1.4789
库存: 0
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0