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UT2306G-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: UT2306G-AE3-R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UT2306G-AE3-R

UT2306G-AE3-R概述

    UT2306 Power MOSFET 技术手册详解

    产品简介


    UT2306 是由 Unisonic Technologies Co., Ltd 生产的一种 N 沟道增强模式功率 MOSFET。它设计有高密度单元结构,具有快速开关速度、超低导通电阻(RDS(ON))以及出色的热学和电学性能。这种 MOSFET 主要应用于商业和工业表面贴装应用,尤其适合用于低压应用,例如 DC/DC 转换器。

    技术参数


    UT2306 的技术规格如下:
    - 电气特性
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极-源极电压 (VDSS): 30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 3.5 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 66 mJ
    - 输入电容 (CISS): 145 pF
    - 输出电容 (COSS): 43 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 35 pF
    - 总栅极电荷 (QG): 9.7 nC
    - 导通延迟时间 (tD(ON)): 4 ns
    - 开启上升时间 (tR): 14 ns
    - 关断延迟时间 (tD(OFF)): 6 ns
    - 关断下降时间 (tF): 18 ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDSS): 30 V
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 3.5 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 14 A
    - 雪崩能量 (EAS): 66 mJ
    - 功率耗散 (PD): SOT-23-3 型号为 0.5 W,SOT-23 型号为 0.6 W
    - 结温 (TJ): +150 ℃
    - 存储温度 (TSTG): -55 ~ +150 ℃
    - 热数据
    - 结到环境热阻 (θJA):
    - SOT-23-3 型号: 250 ℃/W
    - SOT-23 型号: 208 ℃/W

    产品特点和优势


    UT2306 Power MOSFET 的显著特点包括:
    - 超低导通电阻 (RDS(ON)): 在 10 V 时 RDS(ON) 最低为 65 mΩ,适用于需要高效能转换的应用。
    - 快速开关特性: 开关延迟时间短(如 4 ns),提高了系统的整体效率和响应速度。
    - 出色的电气性能: 低栅极电荷 (QG) 和良好的输入输出电容特性,保证了稳定的信号传输和高效的能源利用。
    - 高可靠性: 适用于广泛的温度范围,从 -55 ℃ 到 +150 ℃,确保了在极端条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    UT2306 Power MOSFET 适用于多种应用场景,特别是:
    - DC/DC 转换器: 利用其低导通电阻和快速开关特性,可以提高转换效率,减少发热,适用于小型化和高密度的电源模块。
    - 电机驱动电路: 快速的开关速度和低导通电阻有助于提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计合理,提供足够的散热路径以降低结温。
    - 使用适当的驱动电路来控制 MOSFET 的栅极信号,以防止过高的栅极电压导致损坏。

    兼容性和支持


    UT2306 Power MOSFET 采用 SOT-23-3 和 SOT-23 封装形式,与标准 PCB 设计高度兼容。Unisonic Technologies 提供详尽的技术支持和售后服务,以帮助用户在应用过程中解决问题并优化系统性能。

    常见问题与解决方案


    以下是几个用户可能会遇到的问题及相应的解决办法:
    - 问题: MOSFET 在高电流情况下过热。
    - 解决方法: 检查 PCB 散热设计,增加铜箔面积以提升散热效果。

    - 问题: MOSFET 工作不稳定,出现异常现象。
    - 解决方法: 检查栅极驱动电路是否正确配置,避免过高的栅极电压导致损坏。

    总结和推荐


    UT2306 Power MOSFET 在高性能低压应用领域表现出色,具有优秀的热学和电气性能,广泛适用于各种电源管理电路和电机驱动电路。其独特的快速开关特性和低导通电阻使其成为市场上的有力竞争者。我们强烈推荐在相关项目中选用此款 MOSFET。

UT2306G-AE3-R参数

参数
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23

UT2306G-AE3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UT2306G-AE3-R UT2306G-AE3-R数据手册

UT2306G-AE3-R封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ ¥ 0.2184
1000+ ¥ 0.2148
2000+ ¥ 0.2075
5000+ ¥ 0.2038
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