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7N65L-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-7N65L-TN3-R TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) 7N65L-TN3-R

7N65L-TN3-R概述

    7N65-ML Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    7N65-ML 是一种高压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压环境。
    主要功能:
    这款产品结合了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低栅极电荷、低导通电阻、高速开关能力以及高抗冲击雪崩特性。主要用于高频率开关应用中,如开关电源和适配器。
    应用领域:
    主要应用于高频率开关电源、适配器等电力转换设备中。

    2. 技术参数


    电气特性:
    - 最大漏源电压(VDSS):650V
    - 漏源连续电流(ID):7A
    - 漏源脉冲电流(IDM):14A
    - 击穿电压(BVDSS):650V
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):≤1.3Ω @ VGS=10V, ID=3.5A
    - 输入电容(CISS):870pF @ VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz
    - 输出电容(COSS):97pF
    - 反向传输电容(CRSS):9.6pF
    - 开关总电荷(QG):22nC @ VDS=520V, VGS=10V, ID=7A
    - 关断延迟时间(tD(OFF)):74ns
    - 关断下降时间(tF):33ns
    - 正向二极管恢复时间(trr):506ns
    - 正向二极管恢复电荷(Qrr):2.7μC
    绝对最大额定值:
    - 最大栅极源极电压(VGSS):±30V
    - 最大结温(TJ):+150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55 ~ +150°C
    - 最大功率耗散(PD):TO-220F/TO-220F1 35W, TO-251/TO-252 48W, TO-262/TO-263 125W
    热阻:
    - 结至环境热阻(θJA):TO-220F/TO-220F1 62.5°C/W, TO-220F2/TO-262 110°C/W, TO-263 1°C/W
    - 结至壳体热阻(θJC):TO-220F/TO-220F1 3.57°C/W, TO-220F2 2.6°C/W, TO-262/TO-263 1°C/W

    3. 产品特点和优势


    产品优势:
    - 快速开关能力,适合高频应用。
    - 低栅极电荷和低导通电阻,降低功耗。
    - 改善的 dv/dt 能力和高抗冲击雪崩特性。
    - 支持多种封装类型(如 TO-220F、TO-251、TO-262 等)。
    - 符合环保标准(无铅、无卤素)。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    该产品适用于各种高频率开关电源、适配器等电力转换设备。其快速开关能力和低导通电阻使其特别适合于需要高效率的场合。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免超过最大结温限制。
    - 在选择合适的驱动器时,确保栅极驱动电压不超过最大栅极源极电压。
    - 考虑到热管理,推荐使用散热片或其他散热措施以提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    7N65-ML 支持多种封装类型(如 TO-220F、TO-251、TO-262 等),方便用户根据具体需求选择合适的封装。
    支持:
    厂商提供了详细的技术手册和应用指南,用户可以在官方文档中找到更多详细信息和支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品过热 | 采用适当的散热措施,例如增加散热片或风扇。 |
    | 导通电阻过高 | 检查驱动器配置是否正确,确保栅极电压足够高。 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路,减少栅极电阻,改善信号路径。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    7N65-ML 功率 MOSFET 在高频开关应用中表现出色,具有优异的导通电阻、低栅极电荷和高可靠性。其多样化的封装选项使其在不同应用场景下都具备广泛的适用性。
    推荐意见:
    鉴于其高效能和可靠性,7N65-ML 功率 MOSFET 推荐用于需要高频率开关且对效率要求较高的电力转换设备中。同时,在设计和使用过程中需注意正确的散热管理和驱动器配置,以充分发挥其性能优势。

7N65L-TN3-R参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-252-2

7N65L-TN3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 7N65L-TN3-R 7N65L-TN3-R数据手册

7N65L-TN3-R封装设计

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150+ ¥ 1.3962
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