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2SD669AG-C-TN3-R

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: NPN 1W 5V 10μA 180V 160V 1.5A TO-252-2
供应商型号: 14M-2SD669AG-C-TN3-R TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 三极管(BJT) 2SD669AG-C-TN3-R

2SD669AG-C-TN3-R概述

    2SD669/A NPN Silicon Transistor 技术手册概述

    1. 产品简介


    2SD669/A 是一款来自Unisonic Technologies Co., Ltd的NPN硅晶体管,属于双极型功率通用晶体管。这款晶体管主要用于低频功率放大器,常与UTC 2SB649/A 配对使用。产品提供无铅(Lead-free)和无卤素(Halogen-free)版本以满足不同环保标准的要求。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = 180V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 160V(2SD669),VCEO = 120V(2SD669A)
    - 发射极-基极电压:VEBO = 5V
    - 集电极电流:IC = 1.5A
    - 集电极峰值电流:IC(PEAK) = 3A
    - 最大功耗:SOT-223 = 0.5W,TO-126 = 1W
    - 结温:TJ = +150°C
    - 存储温度范围:TSTG = -40°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压:BVCBO = 180V
    - 集电极-发射极击穿电压:BVCEO = 160V(2SD669),BVCEO = 120V(2SD669A)
    - 发射极-基极击穿电压:BVEBO = 5V
    - 集电极截止电流:ICBO ≤ 10μA
    - 直流电流增益:hFE1 (VCE=5V, IC=150mA) = 60 - 320
    - 饱和压降:VCE(SAT) (IC=600mA, IB=50mA) ≤ 1V
    - 基极-发射极饱和电压:VBE (VCE=5V, IC=150mA) = 1.5V
    - 电流增益带宽积:fT (VCE=5V, IC=150mA) = 140MHz
    - 输出电容:Cob (VCB=10V, IE=0, f=1MHz) = 14pF

    3. 产品特点和优势


    - 多功能性:适用于多种低频功率放大器电路,可广泛应用于消费电子、工业控制等领域。
    - 高可靠性:绝对最大额定值和电气特性的高参数保证了其在极端条件下的可靠运行。
    - 环保设计:无铅和无卤素版本符合RoHS标准,适用于对环境保护要求较高的应用场景。
    - 高增益带宽积:优秀的高频性能使得2SD669/A在需要高速响应的应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 音频放大器:2SD669/A 可作为音频放大器中的功率晶体管,提供良好的信号放大效果。
    - 电源转换器:在电源转换器中,该晶体管可用于开关操作,提高转换效率。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应确保工作点位于绝对最大额定值范围内,以避免损坏。
    - 考虑到散热问题,特别是在大电流应用中,需选择合适的封装并加装散热片。
    - 使用时应注意频率响应,避免超出电流增益带宽积导致的信号失真。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与各类低频功率放大器电路兼容良好。
    - Unisonic Technologies Co., Ltd提供了详细的技术支持文档和产品维护服务,用户可通过官方渠道获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的结温导致晶体管失效。
    - 解决方案:确保使用合适的散热片,并正确计算功耗以避免超过最大功耗限制。
    - 问题:高频信号失真严重。
    - 解决方案:检查电路布局,确保信号路径尽可能短且避免高频噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SD669/A NPN硅晶体管具有广泛的适用范围和出色的电气特性,特别适合于低频功率放大器和电源转换器等应用场景。考虑到其良好的性能、稳定的工作表现及供应商提供的完善支持,强烈推荐用于各种需要高性能晶体管的应用场合。

2SD669AG-C-TN3-R参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
集电极电流 1.5A
集电极截止电流 10μA
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 1@ 50mA @ 600mA
最大功率耗散 1W
VCBO-最大集电极基极电压 180V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
通用封装 TO-252-2
包装方式 卷带包装

2SD669AG-C-TN3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 三极管(BJT) UTC/台湾友顺科技 2SD669AG-C-TN3-R 2SD669AG-C-TN3-R数据手册

2SD669AG-C-TN3-R封装设计

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