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UF07P15G-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: 600mW 20V 10nC@ 10V 150V 3.1Ω@ 10V 140pF@ 25V SOT-23
供应商型号: UF07P15G-AE3-R
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UF07P15G-AE3-R

UF07P15G-AE3-R概述

    UF07P15 P-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UF07P15 是一款由 Unisonic Technologies Co., Ltd 生产的 P-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品专为需要高开关速度、成本效益和低导通电阻的应用而设计。它采用先进的技术制造,能承受高能量的雪崩效应,使其成为多种电力转换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 UF07P15 的技术规格和电气特性:
    - 漏源电压 (VDSS):-150 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):-0.7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-2.8 A
    - 雪崩电流 (IAR):1.8 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):16 mJ
    - 功耗 (PD):0.6 W
    - 结温 (TJ):+150 °C
    - 存储温度 (TSTG):-55 ~ +150 °C
    电气特性:
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):-150 V
    - 漏源漏电电流 (IDSS):-1 µA
    - 栅源漏电电流 (IGSS):±100 nA
    - 开通特性
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)):-2.0 ~ -4.0 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):3.1 Ω (VGS=-10V, ID=-0.5A)
    - 动态参数
    - 输入电容 (CISS):140 pF
    - 输出电容 (COSS):28 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):3.0 pF
    - 开关参数
    - 总栅电荷 (QG):10 nC
    - 栅源电荷 (QGS):1.4 nC
    - 栅漏电荷 (QGD):1.3 nC
    - 开启延迟时间 (tD(ON)):36 ns
    - 开启上升时间 (tR):42 ns
    - 关闭延迟时间 (tD(OFF)):66 ns
    - 关闭下降时间 (tF):48 ns

    3. 产品特点和优势


    UF07P15 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)): ≤ 3.1Ω (VGS=-10V, ID=-0.5A),适用于高效能电力转换应用。
    - 低电容: 有助于提高开关频率。
    - 低栅电荷: 减少驱动电路所需的能量。
    - 快速开关能力: 适合高频应用。
    - 雪崩能量规格化: 确保稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    UF07P15 可用于多种应用场景,如开关电源、电机驱动器、电池充电器等。根据技术手册中的测试电路和波形图,可以确定以下使用建议:
    - 开关电源:在电源转换应用中,利用其快速开关能力减少损耗。
    - 电机驱动器:适用于驱动各种电机,特别是那些需要低阻抗的应用。
    - 电池充电器:利用其高开关速度提高效率。

    5. 兼容性和支持


    UF07P15 使用 SOT-23 封装,易于集成到现有系统中。厂商提供详细的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用该产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是常见的使用问题及解决方案:
    - 问题:无法实现预期的开关速度。
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确认电源和信号源是否符合要求。
    - 问题:工作时过热。
    - 解决方案:增加散热措施,确保工作环境温度在正常范围内。
    - 问题:无法达到预期的导通电阻。
    - 解决方案:检查连接是否正确,确认所有参数设置合理。

    7. 总结和推荐


    UF07P15 是一款高性能的 P-Channel 功率 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关能力和高可靠性。其独特的设计使其在多种电力转换应用中表现出色。强烈推荐给需要高效能电力解决方案的设计者和工程师。

UF07P15G-AE3-R参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF@ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1Ω@ 10V
栅极电荷 10nC@ 10V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 600mW
通用封装 SOT-23

UF07P15G-AE3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UF07P15G-AE3-R UF07P15G-AE3-R数据手册

UF07P15G-AE3-R封装设计

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