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UTT30P06L-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: 44W 15V 40nC@ 10V 60V 60mΩ@ 10V 1.478nF@ 25V TO-252
供应商型号: UTT30P06L-TN3-R
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTT30P06L-TN3-R

UTT30P06L-TN3-R概述

    # UTT30P06 Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    UTT30P06 是一款由 Unisonic Technologies 推出的高性能 P-Channel Power MOSFET,具有高开关速度和极低的导通电阻(RDS(ON))。适用于低压和高速开关场景,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
    主要功能和应用领域
    1. 主要功能:
    - 提供高开关速度和低导通损耗。
    - 支持高达 -60V 的电压范围和最大 -30A 的电流能力。
    - 具备抗雪崩能力和快速体二极管恢复性能。
    2. 应用领域:
    - 低压 DC-DC 转换器
    - 高速逆变器
    - 电池管理保护电路
    - 热插拔开关设计

    技术参数


    以下是 UTT30P06 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压(连续) | VGSS | ±15 V |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS -60 | V |
    | 导通电阻(典型) | RDS(ON) ≤60mΩ@-10V | ≤85mΩ@-4.5V| mΩ |
    | 栅电荷 | QG 40 nC |
    | 栅漏电容 | COSS 120 pF |
    | 开关速度 | td(on) | 5.6 ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) 64 | ns |
    工作环境
    - 最高工作温度:+150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高开关速度:支持超快速开关,显著减少功率损耗。
    2. 低导通电阻:在 VGS=-10V 和 ID=-15A 条件下,典型值为 60mΩ,可满足高效的能量传输需求。
    3. 卓越的雪崩能力:能承受高能量浪涌,提升系统可靠性。
    4. 良好的动态特性:快速体二极管反向恢复时间和低 Qrr 值降低了切换损耗。
    市场竞争力
    UTT30P06 在同类 P-Channel MOSFET 中脱颖而出,凭借其卓越的开关效率、更低的功耗和更紧凑的设计,成为工业级和消费电子领域的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 直流-直流转换器:利用其低导通电阻和高开关速度,显著提高转换效率并减少热耗散。
    2. 汽车电子系统:在发动机管理系统中作为高速开关元件,具备优良的抗振性和可靠性。
    3. 电机驱动:用于实现快速电流控制和精确的速度调节。
    使用建议
    1. 电路设计注意事项:为了充分利用 UTT30P06 的快速开关特性,建议优化 PCB 布局以减少寄生电感和杂散电容。
    2. 散热设计:针对高电流应用,必须合理设计散热方案,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    UTT30P06 支持多种封装形式(如 TO-220、TO-263 等),易于集成到现有电路设计中。同时,它与主流的高压控制芯片和栅极驱动器具有良好的兼容性。
    厂商支持
    Unisonic Technologies 提供详细的技术文档、应用指南和专业客服支持,确保用户在开发和生产过程中获得最佳技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何有效降低开关损耗?
    解决方案:通过降低驱动电阻值(RG)来加速开关过程,同时优化电路布局以减小寄生效应。
    问题 2:如何延长产品使用寿命?
    解决方案:避免超出绝对最大额定值的使用条件,并确保良好的散热设计。

    总结和推荐


    综合评估
    UTT30P06 Power MOSFET 在性能、可靠性和成本方面表现出色,是现代电力电子设计的理想选择。其卓越的开关速度、低导通电阻和抗雪崩能力使其非常适合高要求的应用场景。
    是否推荐
    我们强烈推荐 UTT30P06 用于需要高效率和低功耗的应用场合,无论是消费电子产品还是工业设备,都能展现出色的表现。如果您正在寻找一款可靠的 P-Channel MOSFET,UTT30P06 是一个明智的选择!
    最终评分:★★★★★(满分五星)

UTT30P06L-TN3-R参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 40nC@ 10V
配置 -
最大功率耗散 44W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 15V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.478nF@ 25V
通道数量 -
通用封装 TO-252
应用等级 工业级

UTT30P06L-TN3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UTT30P06L-TN3-R UTT30P06L-TN3-R数据手册

UTT30P06L-TN3-R封装设计

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