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IXFK24N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 560W(Tc) 20V 5.5V@8mA 267nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 390mΩ@ 12A,10V 24A 8.7nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: IXFK24N100-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK24N100

IXFK24N100概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍的是IXYS公司的IXFK24N100和IXFX24N100型N沟道增强模式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件被广泛应用于直流到直流转换器、电池充电器、开关电源、直流斩波器、交流电机驱动以及温度和照明控制等领域。其额定电压为1000V,最大连续漏极电流可达24A,在瞬态情况下可达到96A。该系列产品采用了HDMOSTM工艺,具有低导通电阻、快速内嵌二极管等特点,是高性能电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理出的产品技术参数:
    - 最大电压 (VDSS):1000V
    - 栅极连续电压 (VGSS):±20V
    - 最大漏极电流 (ID):24A (在25℃下)
    - 最大瞬态漏极电流 (IDM):96A (在25℃下)
    - 雪崩耐受能力 (EAS):3J
    - 最大结温 (TJ):-55°C至+150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C至+150°C
    - 热阻 (RthJC):0.22°C/W
    - 热阻 (RthCS):0.15°C/W
    - 开关时间 (trr):≤250ns
    - 输入电容 (Ciss):8700pF
    - 输出电容 (Coss):785pF
    - 反向恢复电荷 (QRM):1.0μC
    - 反向恢复峰值电流 (IRM):8.0A

    产品特点和优势


    IXFK24N100和IXFX24N100具备如下特点和优势:
    - 国际标准封装:适用于多种安装方式。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):采用HDMOSTM工艺,低至390mΩ。
    - 坚固的多晶硅栅极结构:提供更可靠的操作性能。
    - 快速内嵌二极管:减少逆变器中的能量损失。
    - 紧凑型PLUS 247TM封装:节省空间,提高功率密度。

    应用案例和使用建议


    该器件常用于直流到直流转换器和开关电源系统中。例如,在直流到直流转换器的应用中,该器件可以有效提升系统效率并降低损耗。在使用时,建议仔细考虑散热设计,确保器件能在高温环境下正常工作。此外,合理的布局和接线也能进一步提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    IXFK24N100和IXFX24N100可与其他符合标准的电子元件和设备兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括安装指南、故障排除指南等,以帮助用户正确使用和维护这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件在高温环境下过热。
    - 解决办法:改善散热设计,如增加散热片或采用水冷装置。

    - 问题2:驱动电路不稳定。
    - 解决办法:检查驱动信号的质量,确保驱动信号稳定且符合器件要求。
    - 问题3:器件过流损坏。
    - 解决办法:检查系统电路保护措施是否完善,确保过流保护机制正常工作。

    总结和推荐


    IXFK24N100和IXFX24N100是一款高性价比、高性能的N沟道增强模式功率MOSFET,适用于各种电力电子应用。其低导通电阻、快速内嵌二极管和坚固的多晶硅栅极结构使其成为众多高压应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能电力电子解决方案的设计工程师们。

IXFK24N100参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.7nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
最大功率耗散 560W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 24A
栅极电荷 267nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ@ 12A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@8mA
配置 独立式
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFK24N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK24N100数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK24N100 IXFK24N100数据手册

IXFK24N100封装设计

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