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IXBH12N300

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 160W 2.8V 独立式 3KV 30A TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXBH12N300
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS IGBT单管 IXBH12N300

IXBH12N300概述


    产品简介


    IXBT12N300 和 IXBH12N300 高压高增益BIMOSFETTM 单片双极- MOS 晶体管是一种专为高压应用设计的功率半导体器件。这些产品具有高击穿电压、低导通损耗、反向并联二极管等特性,适用于各种电力转换和控制应用,如开关模式电源、不间断电源(UPS)、激光发生器和电容放电电路。

    技术参数


    以下是 IXBT12N300 和 IXBH12N300 的主要技术参数:
    - 最高额定值:
    - VCES(集电极-发射极电压):3000V(环境温度范围为25°C到150°C)
    - VCGRE(栅源间电压):3000V(环境温度范围为25°C到150°C)
    - VGES(栅源间电压连续):±20V
    - VGEM(栅源间电压瞬时):±30V
    - ICM(电流峰值):100A(25°C下1ms脉冲)
    - ICC(集电极电流,110°C):12A
    - ICSOA(安全工作区最大短路耐受电流):98A(1500V钳位)
    - 电气特性:
    - BVCES(集电极-发射极击穿电压):≥3000V
    - VGE(th)(阈值电压):3.0V至5.0V
    - Iges(栅极漏电流):±100nA
    - VCE(sat)(饱和电压):≤3.2V(12A时,125°C)
    - 热特性:
    - 最大结温(TJ):-55°C至+150°C
    - 最大壳温(TJM):150°C
    - 工作温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    - 最大焊点温度(TL):300°C
    - 最大表面温度(TSOLD):260°C
    - 热阻(RthJC):0.78°C/W

    产品特点和优势


    - 高击穿电压: 可承受高达3000V的电压,适用于高压应用。
    - 国际标准封装: 采用标准封装,易于集成。
    - 低导通损耗: VCE(sat)≤3.2V,保证了较低的导通损耗。
    - 低门驱动要求: VGES仅为±20V,降低了门极驱动的要求。
    - 高功率密度: 能在紧凑的空间内提供高功率输出。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关模式电源(SMPS): 由于其高击穿电压和低导通损耗,IXBT12N300 和 IXBH12N300 非常适合用于高效率的开关电源。
    - 不间断电源(UPS): 其可靠性高,适用于关键电源系统。
    - 激光发生器: 适用于需要高稳定性和高可靠性的应用。
    - 电容放电电路: 反向并联二极管有助于保护电路免受反向电压冲击。
    - 交流开关: 适用于各种交流控制系统。
    使用建议:
    - 在设计时考虑散热,确保最大结温(TJ)不超过150°C。
    - 使用合适的门极电阻(RG)以降低门极驱动需求。
    - 确保安装扭矩(Md)符合制造商的规定,以避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准的TO-247和TO-268封装兼容,方便与现有电路板进行集成。
    - 支持: 制造商提供了详尽的技术支持文档和售后支持,以确保用户能够充分利用这些器件的优势。

    常见问题与解决方案


    - Q: 驱动电压过高会导致什么问题?
    - A: 过高的驱动电压可能导致晶体管过热,甚至损坏。建议使用±20V的额定驱动电压,以确保可靠运行。

    - Q: 如何处理过热问题?
    - A: 确保良好的散热措施,如增加散热片或使用风扇辅助冷却。同时,检查门极电阻(RG)的值,确保其合理以降低功耗。

    总结和推荐


    IXBT12N300 和 IXBH12N300 是高度可靠的高压高增益功率半导体器件,适用于多种高压应用场合。其高击穿电压、低导通损耗、国际标准封装等特点使其在市场中具有很强的竞争力。如果您正在寻找一种高效、可靠且易于集成的高压解决方案,强烈推荐使用这些产品。

IXBH12N300参数

参数
配置 独立式
集电极电流 30A
最大功率耗散 160W
VCEO-集电极-发射极最大电压 3KV
最大集电极发射极饱和电压 2.8V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXBH12N300厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXBH12N300数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXBH12N300 IXBH12N300数据手册

IXBH12N300封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 186.1764
900+ ¥ 179.7007
1350+ ¥ 176.4628
库存: 900
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
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