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IXFN44N50U3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 20V 4V@8mA 270nC@ 10 V 1个N沟道 500V 120mΩ@ 500mA,10V 44A 8.4nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.2mm*25.07mm*9.6mm
供应商型号: LDL-IXFN44N50U3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN44N50U3

IXFN44N50U3概述


    产品简介


    产品名称:IXYS HiPerFET MOSFET(IXFN44N50U2/IXFN48N50U2/IXFN44N50U3/IXFN48N50U3)
    产品类型:功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:
    - 高效率功率转换
    - 支持降压(Buck)及升压(Boost)电路拓扑
    - 提供高效的开关性能
    应用领域:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关电源
    - 电机控制
    - 直流伺服驱动器
    - 直流斩波器
    - 开关电感电路

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDSS) | - | 500 | - | V |
    | 漏极电流(ID,连续) | - | 44/48 | - | A |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | - | 0.12/0.10| - | Ω |
    | 栅源漏极充电电容(Coss) | 900 | - | - | pF |
    | 输入电容(Ciss) | - | 8400 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 900 | - | pF |
    | 栅漏电容(Crss) | - | 280 | - | pF |
    | 反向恢复时间(trr) | 35 | 50 | - | ns |
    | 反向恢复峰值电流(IRM) | - | 19-21 | - | A |
    | 结壳热阻(RthJC) | 0.24 | - | - | K/W |

    产品特点和优势


    - 技术先进性:采用HDMOS工艺,低RDS(on),实现高效能开关。
    - 隔离性能:铝氮化物绝缘,提供高功率耗散能力。
    - 快速恢复二极管:超快软恢复特性,显著降低射频干扰(RFI)。
    - 结构坚固:采用多晶硅栅极结构,增强耐久性。
    - 兼容性强:国际标准miniBLOC SOT-227B封装,易于安装和集成。
    - 高性能散热设计:具有良好的热传导性能,适用于高频高功率场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关电源模块中,作为高效降压转换器使用。
    - 在电机控制系统中,实现精确的逆变和驱动控制。
    使用建议:
    - 在使用过程中确保散热片正确安装以维持良好的热管理。
    - 建议结合栅极驱动器优化开关频率,减少开关损耗。
    - 在大电流场景下,需关注过流保护措施以防止损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持与主流栅极驱动器配合使用,如IR2104、STMicroelectronics L6392D等。
    - 具备与多种主控芯片的兼容性,适合用于广泛的应用场景。
    支持与维护:
    - IXYS公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持和质量保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确保栅极驱动电压符合要求,提升驱动强度。|
    | 反向恢复时间较长 | 调整外部电路参数,减小输入电容影响。 |
    | 工作温度过高 | 改善散热措施,使用大尺寸散热片。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该产品具备优异的性能和强大的可靠性,在高效率功率转换领域表现出色。
    - 其紧凑的设计、先进的技术和强大的兼容性使其在市场上具有较高的竞争力。
    推荐结论:
    - 强烈推荐用于需要高效率、高功率密度的工业级应用场景,例如PFC电路、电机控制和机器人驱动系统。
    通过深入研究和理解其技术细节,IXYS HiPerFET MOSFET无疑是一款值得信赖的产品,能够为各类电力电子设备提供稳定可靠的支持。

IXFN44N50U3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 44A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 520W(Tc)
栅极电荷 270nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.4nF@25V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 38.2mm*25.07mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFN44N50U3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN44N50U3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN44N50U3 IXFN44N50U3数据手册

IXFN44N50U3封装设计

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