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IXFH36N50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Polar系列, Vds=500 V, 36 A, TO-247AD封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 194546
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH36N50P

IXFH36N50P概述

    Polar™ HiPerFET™ Power MOSFETs

    产品简介


    Polar™ HiPerFET™ 是一种高性能的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具有快速固有二极管的特点,适用于高压和高功率应用。这些器件特别适合于需要高可靠性和高效能的应用场景,如电源转换、电机驱动、太阳能逆变器和电信基础设施等。

    技术参数


    以下是Polar™ HiPerFET™ Power MOSFETs的主要技术参数:
    | 参数 | 值 |

    | 额定电压 (VDSS) | 500V |
    | 连续漏电流 (ID25) | 36A @ 25°C |
    | 最小击穿电压 (BVDSS) | 500V @ VGS = 0V, ID = 250μA |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 3.0 ~ 5.0V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | ≤ 170mΩ @ VGS = 10V, ID = 0.5 × ID25 |
    | 门极电荷 (Qg) | 93nC |
    | 总电容 (Ciss) | 5500pF |
    | 极限功率耗散 (PD) | 540W @ 25°C |
    | 工作温度范围 (TJ) | -55 ~ +150°C |
    | 存储温度范围 (Tstg) | -55 ~ +150°C |

    产品特点和优势


    - 低封装电感:有助于减少开关损耗和提高整体效率。
    - 快速固有整流器:确保在高频开关应用中具备优异的性能。
    - 低RDS(on) 和 QG:降低导通电阻和门极电荷,从而提高效率。
    - 高功率密度:允许在紧凑的空间内实现高性能。
    - 易于安装:简化了设备的组装过程。
    - 节省空间:通过紧凑的设计减少了占用空间。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:Polar™ HiPerFET™ 可用于电源转换系统中作为主控开关,其高可靠性和高效能使其成为关键部件。
    - 使用建议:在设计时应考虑其热管理需求,特别是在大功率应用中。可以采用散热片或散热风扇来辅助散热,以确保最佳性能和可靠性。

    兼容性和支持


    Polar™ HiPerFET™ 支持多种封装形式,如TO-247、TO-268和PLUS220。IXYS公司为客户提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分发挥这些产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后器件过热。
    - 解决方案:安装适当的散热装置,并合理安排工作时间,避免连续满负荷运行。
    - 问题2:门极信号不稳定。
    - 解决方案:检查门极驱动电路,确保正确的门极电荷和低阻抗连接。
    - 问题3:输出电流不足。
    - 解决方案:确认负载要求,并确保供电电压满足器件的工作条件。

    总结和推荐


    Polar™ HiPerFET™ Power MOSFETs 以其出色的性能、高功率密度和易用性,在高压和高功率应用中表现出色。对于需要高效能和可靠性的场合,这是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用开发工程师。

IXFH36N50P参数

参数
栅极电荷 93nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.5nF@25V
最大功率耗散 540W(Tc)
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 36A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH36N50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH36N50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH36N50P IXFH36N50P数据手册

IXFH36N50P封装设计

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