处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH10N80P

IXFH10N80P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 30V 5.5V@2.5mA 40nC@ 10 V 1个N沟道 800V 1.1Ω@ 5A,10V 10A 2.05nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 3438376
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH10N80P

IXFH10N80P概述

    PolarTM HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PolarTM HiPerFET Power MOSFET 是一种增强型 N 沟道场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode),由 IXYS Corporation 生产。这款 MOSFET 具备快恢复二极管,并且经过雪崩测试,适用于多种高功率和高效率的应用场景。产品系列包括 IXFA10N80P、IXFP10N80P、IXFQ10N80P 和 IXFH10N80P。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 (VDSS):800V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±30V(连续);±40V(瞬时)
    - 最大漏极电流 (ID):25°C 时 10A(持续),峰值可达 30A(脉冲)
    - 结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大功耗 (PD):25°C 时 300W
    - 散热极限温度 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):10A 时,10V 栅压,典型值为 1.1Ω
    - 输入电容 (Ciss):典型值为 2050pF
    - 反向恢复时间 (tRR):典型值为 200-250ns
    - 结-壳热阻 (RthJC):典型值为 0.42°C/W
    - 栅电荷 (Qg):10V 栅压下典型值为 40nC

    3. 产品特点和优势


    - 易于安装:具有低封装电感,便于驱动和保护。
    - 节省空间:紧凑的设计减少了电路板面积。
    - 高功率密度:能够在有限的空间内提供更高的功率输出。
    - 卓越的热性能:高功率密度和低热阻设计使其在高负载条件下仍能保持良好的散热效果。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源和谐振电源:该 MOSFET 可用于高频开关电源,以提高转换效率。
    - 直流-直流转换器:利用其低导通电阻和高击穿电压,确保高效稳定的电源转换。
    - 激光驱动器:具备快速响应和高可靠性,适合于对电流控制要求严格的场合。
    - 电机驱动器:可应用于各种交流和直流电机驱动,提供可靠的电流控制。
    使用建议:
    - 在选择 MOSFET 时,考虑其在不同温度下的性能变化,特别是在高功率应用中。
    - 确保适当的散热措施,特别是在高负载和高温环境下使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 兼容国际标准封装,包括 TO-263、TO-220、TO-247 和 TO-3P 封装。
    - 支持:IXYS Corporation 提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻过高
    - 解决方案:检查栅源电压是否达到额定值,确保驱动电路正确无误。
    - 问题2:散热不良
    - 解决方案:加强散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题3:过载保护失效
    - 解决方案:检查外部保护电路是否正常工作,必要时增加额外的保护机制。

    7. 总结和推荐


    PolarTM HiPerFET Power MOSFET 提供了出色的性能和可靠性,特别适合高功率应用,如开关电源、直流-直流转换器和电机驱动器。其易于安装、高功率密度和卓越的热性能是其显著的优势。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和可靠性的应用环境中。
    综上所述,PolarTM HiPerFET Power MOSFET 是一个值得信赖的选择,它将在您的项目中发挥出色的表现。

IXFH10N80P参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@2.5mA
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 5A,10V
通道数量 1
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 40nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.05nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH10N80P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH10N80P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH10N80P IXFH10N80P数据手册

IXFH10N80P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 29.8687
10+ ¥ 26.7624
100+ ¥ 25.8066
500+ ¥ 25.8066
1000+ ¥ 25.8066
库存: 206
起订量: 2 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 29.86
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336