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IXTA230N04T4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 340W(Tc) 15V 4V@ 250µA 140nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.9mΩ@ 115A,10V 230A 7.4nF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: IXTA230N04T4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA230N04T4

IXTA230N04T4概述


    产品简介


    IXYSTA230N04T4 和 IXTP230N04T4 是一款由 IXYS Corporation 生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),具有40V的额定电压。该系列产品广泛应用于同步降压转换器、高电流开关电源、电池供电电动机、谐振模式电源、电子镇流器和D类音频放大器等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压(VDSS):40V
    - 门极负向电压(VGSM):±15V
    - 连续漏极电流(ID):230A(在25°C)
    - 瞬态电流:700A
    - 最大结温(TJ):-55°C至+175°C
    - 最大引线温度(TL):300°C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):≤2.9mΩ(在VGS=10V,ID=0.5 ID25下)
    - 输入电容(Ciss):7400pF
    - 反向传输电容(Crss):760pF
    - 输出电容(Coss):1115pF
    - 栅极电荷(Qg):140nC
    - 输入阻抗(RGi):1.2Ω
    - 热参数
    - 结到外壳热阻(RthJC):0.44°C/W
    - 壳到散热片热阻(RthCS):0.50°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供多种封装形式以满足不同应用需求。
    - 高温运行能力:能够在-55°C到+175°C的工作温度范围内正常运行。
    - 高电流处理能力:具备卓越的电流承载能力和低RDS(on),适合大电流应用场景。
    - 雪崩击穿能力:能够承受高电压冲击。
    - 空间节省和高功率密度:设计紧凑,易于安装,特别适用于空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步降压转换器:在同步降压转换器中,这些MOSFET可以作为主开关,帮助实现高效稳定的电压转换。
    - 高电流开关电源:在大电流应用中,IXYSTA230N04T4和IXTP230N04T4能够稳定提供所需的高电流,确保设备的正常运行。
    - 电池供电电动机:适合用于驱动需要频繁启停操作的电机,例如电动工具或电动汽车。
    使用建议
    - 散热管理:由于高电流通过可能导致器件发热严重,建议使用合适的散热措施,如铜散热器或风扇,确保结温不超过规定极限。
    - 驱动电路设计:选择合适的栅极电阻(如10Ω)以优化开关速度并减少功耗。
    - 负载匹配:根据应用需求合理选择合适的工作电压和电流,避免过载损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXYSTA230N04T4和IXTP230N04T4符合国际标准封装,适用于多种印刷电路板布局。同时,该产品与其他品牌兼容性良好,方便用户替换升级现有系统。
    - 支持服务:IXYS提供全面的技术支持和售后保障,包括详细的技术文档、应用指南以及在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机后出现短路现象。
    - 解决方案:检查电路是否存在短路点,必要时更换MOSFET。

    2. 问题:在高电流状态下MOSFET温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热装置或改善PCB布局,确保良好的热传导。

    3. 问题:系统响应缓慢,无法达到预期工作频率。
    - 解决方案:重新评估驱动电路设计,适当调整栅极电阻以提高开关速度。

    总结和推荐


    综上所述,IXYSTA230N04T4 和 IXTP230N04T4 是高性能、可靠且适用广泛的MOSFET产品。它们具有高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围等显著优势,非常适合各种电力电子应用。特别是对于那些需要高可靠性、高功率密度和紧凑封装的设计项目来说,这两款产品是理想的选择。因此,我们强烈推荐这些MOSFET产品给工程师和技术人员。

IXTA230N04T4参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.9mΩ@ 115A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 140nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 230A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.4nF@25V
最大功率耗散 340W(Tc)
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA230N04T4厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA230N04T4数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA230N04T4 IXTA230N04T4数据手册

IXTA230N04T4封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 21.5256
2000+ ¥ 20.7769
3000+ ¥ 20.4025
库存: 2350
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
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