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IXTA1N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 63W(Tc) 20V 4.5V@ 50µA 17.6nC@ 10V 1个N沟道 1.2KV 20Ω@ 500mA,10V 1A 550pF@25V TO-263-3 贴片安装 9.9mm*9.2mm*4.5mm
供应商型号: IXTA1N120P
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA1N120P

IXTA1N120P概述


    产品简介


    IXTA1N120P 和 IXTP1N120P 是由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,具备1200V的击穿电压和高可靠性。这些器件适用于开关电源、谐振电源、直流-直流转换器、激光驱动器以及交流和直流电机控制等领域。它们采用国际标准封装,具备低封装电感和易于驱动的特点。

    技术参数


    - 基本电气参数
    - 击穿电压 \( V{DSS} \): 1200V(工作温度范围:-55°C至+150°C)
    - 最大栅极电压 \( V{GSS} \): ±20V(连续),±30V(瞬态)
    - 漏极电流 \( ID \): 1.0A(TC = 25°C),脉冲电流可达1.8A(TC = 25°C)
    - 能量吸收能力 \( E{AS} \): 100mJ(TC = 25°C)
    - 开关时间特性:\( td(on) \): 20ns,\( tr \): 28ns,\( td(off) \): 54ns,\( tf \): 27ns
    - 输入电容 \( C{iss} \): 550pF,输出电容 \( C{oss} \): 25pF,反向传输电容 \( C{rss} \): 5.4pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 17.6nC,门极源极电荷 \( Q{gs} \): 3.5nC,门极漏极电荷 \( Q{gd} \): 10.6nC
    - 热阻 \( R{thJC} \): 2.0°C/W(TO-263);\( R{thCS} \): 0.5°C/W(TO-220)
    - 其他参数
    - 源极-漏极二极管的峰值电流 \( IS \): 1.0A,重复峰值电流 \( I{SM} \): 3.0A
    - 二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 900ns(\( IF \) = 1.0A,\( \frac{di}{dt} \) = 100A/μs,\( VR \) = 100V,\( V{GS} \) = 0V)

    产品特点和优势


    - 易于安装:国际标准封装使得安装过程更加简单快捷。
    - 节省空间:紧凑设计使设备占用更少空间。
    - 高功率密度:出色的热管理和低电阻特性使其适用于高功率应用。
    - 抗浪涌能力:高击穿电压和能量吸收能力使得其在恶劣环境下也能稳定工作。
    - 快速开关:具备快速开关特性的MOSFET可以提高效率并减少损耗。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET器件广泛应用于多种场合,如开关电源和直流-直流转换器。以开关电源为例,为了确保最佳性能和寿命,需要严格控制温度和电流,并采用适当的散热措施。例如,在高功率应用中,建议使用散热片或其他散热装置来保持设备在安全的工作温度范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件适用于标准的TO-263和TO-220封装,可以与大多数现有的电路板和系统兼容。
    - 支持:IXYS公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够获得所需的帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致MOSFET失效
    - 解决方案:增加散热片或改进散热系统,确保器件工作在安全温度范围内。

    - 问题2:电流过大导致MOSFET烧毁
    - 解决方案:检查电路设计,适当调整负载电流,避免过载情况发生。

    - 问题3:电压波动导致MOSFET损坏
    - 解决方案:使用稳压器或电压调节器,确保输入电压稳定。

    总结和推荐


    IXTA1N120P 和 IXTP1N120P 是具有高可靠性和高性能的N沟道MOSFET器件,特别适用于高功率密度的应用场合。其优秀的热管理能力和快速开关特性使其成为市场上极具竞争力的产品。对于需要高效且稳定的电力转换解决方案的用户来说,推荐使用这两款MOSFET。

IXTA1N120P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 17.6nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 1A
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
最大功率耗散 63W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 550pF@25V
通道数量 1
长*宽*高 9.9mm*9.2mm*4.5mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA1N120P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA1N120P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA1N120P IXTA1N120P数据手册

IXTA1N120P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 21.8276
600+ ¥ 21.0684
900+ ¥ 20.6887
库存: 2250
起订量: 300 增量: 300
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最小起订量为:300
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