处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFK170N20P

IXFK170N20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 20V 5V@1mA 185nC@ 10 V 1个N沟道 200V 14mΩ@ 500mA,10V 170A 11.4nF@25V TO-264-3 通孔安装 20.29mm*5.31mm*26.59mm
供应商型号: IXFK170N20P
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK170N20P

IXFK170N20P概述


    产品简介


    IXYS Corporation推出的IXFK170N20P 和 IXFX170N20P 是一款N沟道增强模式场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高电流应用场合。这两款产品具有动态dv/dt额定值、雪崩额定值、快速本征二极管、低栅源电荷(QG)和低导通电阻(RDS(on))等特性。它们广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源以及不间断电源等领域,提供高速功率开关的应用支持。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气特性参数:
    - 最大电压(VDSS):200V
    - 连续栅源电压(VGSS):±20V
    - 瞬态栅源电压(VGSM):±30V
    - 25°C时的最大漏极电流(ID25):170A
    - 铅电流限制(ILRMS):160A
    - 雪崩能量额定值(EAS):4J
    - 最大结温(TJ):-55°C至+175°C
    - 结壳热阻(RthJC):0.12°C/W
    - 源到漏极二极管反向恢复时间(trr):200ns
    - 源到漏极二极管最大重复电流(ISM):510A
    - 工作结温(TJ):-55°C至+175°C
    - 存储温度(Tstg):-55°C至+175°C
    - 最大引脚焊接温度(TSOLD):260°C
    - 重量(PLUS247):6g;(TO-264):10g

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:适合高压快速开关应用。
    - 雪崩额定值:具有出色的耐受电压冲击能力。
    - 快速本征二极管:有助于减少反向恢复损耗。
    - 低QG:降低了驱动电路的功耗。
    - 低RDS(on):减少了导通损耗。
    - 低源到漏极电容:减少了开关损耗。
    - 低封装电感:有助于提升高频工作的稳定性。
    这些特性使其成为高性能、高可靠性应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:由于具备低导通电阻和低QG,这些产品可以显著提高转换效率并降低发热量。
    - 电池充电器:能够承受高电流和高电压冲击,确保稳定高效的充电过程。
    - 开关模式电源:快速开关特性和低损耗使得这类产品非常适合高频电源设计。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑合适的散热措施以保证长期稳定运行。
    - 确保引线连接稳固,避免高温导致的焊点失效。
    - 注意驱动电路的设计,以确保合适的栅极电压和电流水平,以避免误触发和损坏。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可与其他常用的电源管理IC和模块配合使用。制造商提供详细的安装说明和技术支持文档,确保用户能正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:产品出现过热现象?
    - A:检查电路板布局和散热方案,确保散热路径畅通且有效。
    - Q:产品在高电流应用中表现不佳?
    - A:检查驱动信号的质量,确保驱动电压和电流满足要求。同时,注意引线和焊点的焊接质量。
    - Q:产品在高电压应用中击穿?
    - A:确认所有相关电气参数(如VDSS和VDGR)符合规定条件,并确保驱动电压不超过允许范围。

    总结和推荐


    总体而言,IXFK170N20P 和 IXFX170N20P 是市场上非常出色的高性能MOSFET产品,特别适合需要高可靠性和高效率的应用场合。该产品具备诸多优势,不仅能够显著提高系统的整体性能,还能有效减少发热和损耗。如果你正在寻找一款能在恶劣环境中保持稳定运行的高效MOSFET,这两款产品无疑是最佳选择。

IXFK170N20P参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 170A
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
栅极电荷 185nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.4nF@25V
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK170N20P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK170N20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK170N20P IXFK170N20P数据手册

IXFK170N20P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 138.6693
500+ ¥ 133.846
750+ ¥ 131.4344
库存: 500
起订量: 250 增量: 250
交货地:
最小起订量为:250
合计: ¥ 34667.32
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0